[發明專利]Pt/Ti/SiO2/Si襯底的寬波段薄膜型光電探測器的制備方法無效
| 申請號： | 201210019112.2 | 申請日： | 2012-03-22 |
| 公開（公告）號： | CN102593242A | 公開（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發明（設計）人： | 侯云;黃志明;高艷卿;吳敬;張雷博;周煒;張琰;褚君浩 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | pt ti sio sub si 襯底 波段 薄膜 光電 探測器 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于Pt/Ti/SiO2/Si襯底的寬波段薄膜型光電探測器的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
1).襯底的清洗：
選擇表面可以導電的Pt/Ti/SiO2/Si襯底，用常規的方法清洗，去除襯底表面的雜質和污物，然后烘干備用；
2).薄膜的生長：
采用專利ZL：200610030144.7中所述的濕化學法制備Mn-Co-Ni-O薄膜，選取醋酸錳、醋酸鈷、醋酸鎳為原料，以冰醋酸作溶劑，分別配制導電類型是n和p的前驅體溶液，然后使用勻膠機和快速退火爐來制備薄膜材料；
先是在Pt/Ti/SiO2/Si襯底(1)上生長導電類型為n型的Mn-Co-Ni-O薄膜(2)，在導電類型為n型的Mn-Co-Ni-O薄膜(2)上繼續生長導電類型為p型的Mn-Co-Ni-O薄膜(3)，從而制備出導電類型為p型和n型Mn-Co-Ni-O薄膜疊加結構，形成pn結；
3).電極的制備：
采用刻蝕工藝去除一部分導電類型為n型的Mn-Co-Ni-O薄膜(2)和導電類型為p型的Mn-Co-Ni-O薄膜(3)，露出襯底上的部分導電層作為底電極(5)；在導電類型為p型的Mn-Co-Ni-O薄膜(3)的部分膜面上用掩模板保護，制備上一塊導電層作為頂電極(4)。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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