[發明專利]像素結構

有效

• 申請號: 201210019086.3
• 申請日: 2012-01-20
• 公開（公告）號: CN103217842A
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發明（設計）人: 宋立偉;王忠益;汪安昌;謝燿聯
• 申請（專利權）人: 群康科技(深圳)有限公司;奇美電子股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/133;G02F1/1333;H01L27/02
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 任默聞

技術領域

本發明是有關于一種像素結構，特別是有關于一種高穿透率及可有效控制電容耦合效應的像素結構。

背景技術

在垂直配向(vertical?alignment，VA)的廣視角技術中，液晶分子在其不同相位交界處的效率不佳，致整體面板的穿透率下降；另外，在半導體工藝中由于金屬走線是不透光的，亦會導致面板穿透率下降；一般而言，在像素電極的設計上會最佳化穿透率，例如將液晶效率不佳的面積減少是設計者的共識，但，此動作往往帶來光學品味上的問題，例如：電容耦合效應過大，產生串音現象，或是正負半周電壓對稱性過差，致制造生產難度提升，良率下降，以及產品信賴性不佳等。

”Feedthrough”是晶體管由元件打開至元件關閉時所產生的電容耦合效應，因電壓是由高至低(以CMI公司為例)，因此，耦合方向是將像素電極的電壓向下拉扯；液晶分子會在正負半周的交流狀態下驅動，目的是為防止液晶分子極化而失去原本特性；此時，若feedthrough過大會使正負半周對稱性變差，進而衍生出制造上及光學品味上的問題。

發明內容

本發明的一實施例，提供一種像素結構，包括：一第一次像素列，包括多個次像素，電性連接于一第一掃描線；以及一第二次像素列，包括多個次像素，其中該第一掃描線通過該第二次像素列的所述次像素中的一區域。

該第一次像素列與該第二次像素列的所述次像素為矩形、菱形或多邊形。

該第一次像素列的所述次像素包括紅色、藍色或綠色次像素其中之一或其組合。

該第二次像素列的所述次像素包括紅色、藍色或綠色次像素其中之一或其組合。

該第一掃描線通過該第二次像素列的所述次像素中的該區域對應至一液晶暗紋區。

該第二次像素列的所述次像素分別設置于該第一次像素列的所述次像素之間，以使該第一次像素列的所述次像素與該第二次像素列的所述次像素呈錯位排列態樣。

本發明像素結構更包括多條第一信號線，通過該第一次像素列的所述次像素中的一區域。

所述第一信號線通過該第一次像素列的所述次像素中的該區域對應至一液晶暗紋區。

本發明像素結構更包括多條第二信號線，通過該第二次像素列的所述次像素中的一區域。

所述第二信號線通過該第二次像素列的所述次像素中的該區域對應至一液晶暗紋區。

本發明像素結構更包括多條共用電極，設置于該第一次像素列與該第二次像素列的所述次像素的邊緣。

所述共用電極呈鋸齒狀或凹凸狀。

該第一掃描線通過該第一次像素列的所述次像素的邊緣，并與所述第一信號線垂直。

該第一掃描線通過該第二次像素列的所述次像素的中心位置。

本發明像素結構更包括多個驅動元件，其中每一驅動元件同時控制一條第一信號線與一條第二信號線。

本發明像素結構更包括多個驅動晶體管，其中所述驅動晶體管電性連接于該第一次像素列的所述次像素，并設置于該第二次像素列的兩相鄰次像素之間。

本發明利用相鄰(不同列)次像素的錯位排列使例如第一次像素列的掃描線(scan?line)得以埋藏于例如第二次像素列中對應至液晶暗紋的區域，此作法即是將不透光的金屬走線(例如掃描線及信號線)與液晶效率差的液晶暗紋作結合，而達到最大化穿透率的目的，同時，因例如第二次像素列的像素電極(ITO)所跨過的走線為例如第一次像素列的掃描線，因此，電容耦合效應(”feedthrough”)不會增加，明顯降低了現有技術為使穿透率最大化而伴隨產生的副作用。

為讓本發明的上述目的、特征及優點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，作詳細說明如下：

附圖說明

圖1A是根據本發明的一實施例，揭露一種像素結構的上視圖；

圖1B是根據本發明的一實施例，揭露一種像素結構的上視圖；

圖2是根據本發明的一實施例，揭露一種像素結構的上視圖；

圖3A是根據本發明的一實施例，揭露一種像素結構的上視圖；以及

圖3B是根據本發明的一實施例，揭露一種像素結構的上視圖。

附圖標號：

10、100～像素結構；

12、120～第一次像素列；

14、140～第二次像素列；

15～第三次像素列；

16、20、160、200、21、23、25～次像素；

17～第四次像素列；

18、180～第一掃描線；

19～第五次像素列；

22、220～次像素的邊緣；