[發(fā)明專利]光纖預(yù)制件、光纖和光纖預(yù)制件的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210019075.5
• 申請(qǐng)日: 2012-01-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102603179A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 平野正晃;春名徹也;田村欣章
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 住友電氣工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C03B37/012
• 分類號(hào): C03B37/012;C03B37/02
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 丁業(yè)平;張?zhí)焓?/td>

1.一種由二氧化硅基玻璃構(gòu)成的光纖預(yù)制件，該光纖預(yù)制件包括：

通過(guò)拉伸而形成為光纖的芯區(qū)域的芯部分，

其中所述芯部分包括摻雜有一種或多種堿金屬的堿金屬摻雜芯玻璃部分，

所述芯部分中氧分子的最大濃度為大于或等于30mol?ppb，并且

所述芯部分中堿金屬的平均濃度為大于或等于5原子ppm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖預(yù)制件，

其中所述堿金屬摻雜芯玻璃部分除了SiO₂玻璃網(wǎng)絡(luò)以外，還包含氧分子和鹵素，并且

所述堿金屬摻雜芯玻璃部分中其它摻雜劑的平均濃度均低于所述堿金屬摻雜芯玻璃部分中堿金屬和鹵素各自的平均濃度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光纖預(yù)制件，

其中所述堿金屬摻雜芯玻璃部分除了SiO₂玻璃網(wǎng)絡(luò)以外，還包含氧分子和鹵素，并且

所述堿金屬摻雜芯玻璃部分中其它摻雜劑的最大濃度均低于所述堿金屬摻雜芯玻璃部分中堿金屬、氧分子和鹵素各自的最大濃度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的光纖預(yù)制件，還包括：

通過(guò)拉伸而形成為所述光纖的包層區(qū)域的包層部分，所述包層部分位于所述芯部分的外周，

其中所述包層部分為摻雜有氟的二氧化硅基玻璃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的光纖預(yù)制件，

其中所述堿金屬摻雜芯玻璃部分為摻雜有鉀作為所述的一種或多種堿金屬的二氧化硅基玻璃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的光纖預(yù)制件，

其中所述芯部分包括第一芯玻璃部分，其摻雜有平均濃度為大于或等于5原子ppm的所述一種或多種堿金屬；以及第二芯玻璃部分，其包含小于或等于1原子ppm的所述一種或多種堿金屬，所述第二芯玻璃部分位于所述第一芯玻璃部分的外周。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任意一項(xiàng)所述的光纖預(yù)制件，

其中所述堿金屬摻雜芯玻璃部分中氧分子的最大濃度為小于或等于160mol?ppb。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的光纖預(yù)制件，

其中所述芯部分中所述堿金屬的平均濃度為小于或等于120原子ppm。

9.一種光纖，其是通過(guò)對(duì)權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的光纖預(yù)制件進(jìn)行拉伸而制備的，其中，在1,550nm波長(zhǎng)下的衰減小于或等于0.180dB/km。

10.一種制備光纖預(yù)制件的方法，該光纖預(yù)制件由二氧化硅基玻璃構(gòu)成并且包括通過(guò)拉伸而形成為光纖的芯區(qū)域的芯部分，所述方法包括：

堿金屬摻雜步驟，其中，將一種或多種堿金屬的原料氣體供應(yīng)至由二氧化硅基玻璃構(gòu)成的玻璃管的內(nèi)部，同時(shí)加熱該玻璃管，從而用所述一種或多種堿金屬對(duì)該玻璃管進(jìn)行摻雜；

氧分子摻雜步驟，其中，將氧氣供應(yīng)至所述玻璃管的內(nèi)部，同時(shí)加熱該玻璃管，從而用氧分子對(duì)該玻璃管進(jìn)行摻雜；以及

塌縮步驟，其中，在所述堿金屬摻雜步驟和氧分子摻雜步驟之后加熱所述玻璃管，從而使該玻璃管塌縮，

由此制得根據(jù)權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的光纖預(yù)制件。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，

其中，在所述塌縮步驟中，將所述玻璃管中的氧氣分壓控制為大于或等于80kPa。