[發(fā)明專利]發(fā)光二極管及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210018799.8
• 申請日: 2012-01-20
• 公開（公告）號: CN103219433A
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李家銘;葉念慈;張翔思;呂坤圃;陳晉毅
• 申請（專利權(quán)）人: 泰谷光電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/38;H01L33/32
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 于輝

1.一種發(fā)光二極管的制造方法，包括：

在基板上形成多個磊晶材料層，該多個磊晶材料層依序包括緩沖層、n型半導體層、發(fā)光層、和p型半導體層；

在該p型半導體層的上表面形成透明導電層；

對于該透明導電層以自氧化蝕刻技術(shù)進行粗糙化處理，使該透明導電層具有粗糙表面；和

形成多個電極。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該多個磊晶材料層由氮化鋁銦鎵Al_xIn_yGa_1-x-yN化合物組成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該透明導電層選自氧化鎵、氧化鋁、氧化銦錫、氧化錫、氧化銦、未摻雜的氧化鋅、摻雜的氧化鋅。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該透明導電層選自鎳、金、鈀、鉑、釕、銥、鉻或它們的合金的薄膜。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該自氧化蝕刻技術(shù)是以直接以干蝕刻或濕蝕刻方式，去除透明導電層表面分子層。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中該分子層是透明導電層表面經(jīng)氧化或其它化學反應(yīng)而形成。

7.如權(quán)利要求5所述的方法，其中該干蝕刻包括等離子體蝕刻、激光蝕刻、離子束蝕刻、濺鍍蝕刻、反應(yīng)性離子蝕刻或感應(yīng)耦合等離子體離子蝕刻等方式。

8.如權(quán)利要求5所述的方法，其中該濕蝕刻是以酸溶液或堿溶液作為蝕刻劑。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中該酸溶液選自硫酸、磷酸、硝酸、亞硝酸、亞磷酸、鹽酸、醋酸、碳酸、硼酸、甲酸、碘酸、草酸、氯化鐵、氫氟酸、硫化氫、亞硫酸、氟磺酸、烷基磺酸、氧化物蝕刻劑中一種或多種組合。

10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中該堿溶液選自氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鈣、四甲基銨氫氧化物、氫氧化銨、碳酸鈉、碳酸氫鈉、碳酸鉀、氫氧化鋇中一種或多種組合。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該多個電極中之一為穿過該透明導電層的通孔與該p型半導體層接觸。

12.一種發(fā)光二極管，包括：

多個磊晶材料層，該多個磊晶材料層依序包括緩沖層、n型半導體層、發(fā)光層、和p型半導體層，其中該多個磊晶材料層以第三族氮化合物組成；

與該p型半導體層接觸的透明導電層，其中該透明導電層具有以自氧化蝕刻技術(shù)形成的粗化表面；及

多個電極。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中該第三族氮化合物為氮化鋁銦鎵Al_xIn_yGa_1-x-yN化合物，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1。

14.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管，其中該粗化表面具有任意圖案。

15.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管，其中該多個電極中之一為穿過該透明導電層的通孔與該p型半導體層接觸。