[發(fā)明專(zhuān)利]一種小尺寸密度可控硅納米點(diǎn)陣列的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210018656.7
• 申請(qǐng)日: 2012-01-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102569033A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃凱;李陽(yáng)娟;李成;賴(lài)虹凱
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 廈門(mén)大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 廈門(mén)南強(qiáng)之路專(zhuān)利事務(wù)所 35200
• 代理人: 馬應(yīng)森

1.一種小尺寸密度可控硅納米點(diǎn)陣列的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1)在襯底上淀積鋁膜后，退火，再對(duì)鋁膜進(jìn)行陽(yáng)極氧化；

2)去除步驟1)中所形成的陽(yáng)極氧化鋁膜及硅襯底表面上的二氧化硅點(diǎn)，即在樣品表面形成較大尺寸的硅納米點(diǎn)陣列；

3)對(duì)樣品進(jìn)行脫氧，即得無(wú)絕緣勢(shì)壘層的大面積均勻小尺寸密度可控硅納米點(diǎn)陣列。

2.如權(quán)利要求1所述的一種小尺寸密度可控硅納米點(diǎn)陣列的制備方法，其特征在于在步驟1)中，所述襯底采用單晶硅。

3.如權(quán)利要求1所述的一種小尺寸密度可控硅納米點(diǎn)陣列的制備方法，其特征在于在步驟1)中，所述在襯底上淀積鋁膜的具體方法采用磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束沉積中的一種。

4.如權(quán)利要求1所述的一種小尺寸密度可控硅納米點(diǎn)陣列的制備方法，其特征在于在步驟1)中，所述退火的溫度為350～550℃，退火的時(shí)間大于1h。

5.如權(quán)利要求1所述的一種小尺寸密度可控硅納米點(diǎn)陣列的制備方法，其特征在于在步驟1)中，所述對(duì)鋁膜進(jìn)行陽(yáng)極氧化可在酸溶液中對(duì)鋁膜進(jìn)行陽(yáng)極氧化，在陽(yáng)極氧化中，當(dāng)氧化電壓小于30V時(shí)，所述酸溶液采用硫酸溶液，所述硫酸溶液的濃度為15wt％；當(dāng)氧化電壓為30～80V時(shí)，所述酸溶液采用草酸溶液，所述草酸溶液的濃度為0.3M；當(dāng)氧化電壓為大于80V時(shí)，所述酸溶液采用磷酸溶液，所述磷酸溶液的濃度為1wt％～5wt％。

6.如權(quán)利要求1所述的一種小尺寸密度可控硅納米點(diǎn)陣列的制備方法，其特征在于在步驟2)中，所述去除陽(yáng)極氧化鋁膜的氧化鋁層，使用對(duì)硅不產(chǎn)生腐蝕的各種pH值小于4或大于10的酸堿溶液。

7.如權(quán)利要求1所述的一種小尺寸密度可控硅納米點(diǎn)陣列的制備方法，其特征在于在步驟2)中，所述去除硅襯底表面上的二氧化硅點(diǎn)使用氫氟酸。

8.如權(quán)利要求1所述的一種小尺寸密度可控硅納米點(diǎn)陣列的制備方法，其特征在于在步驟3)中，所述脫氧在真空下進(jìn)行，在超過(guò)300℃的溫度下進(jìn)行熱處理去除水汽，然后升溫至750℃以上的溫度進(jìn)行脫氧處理。

9.如權(quán)利要求8所述的一種小尺寸密度可控硅納米點(diǎn)陣列的制備方法，其特征在于所述脫氧處理的時(shí)間大于20min。