[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置和半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210018534.8
• 申請(qǐng)日: 2012-01-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102610634A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 本田成人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/36
• 分類號(hào): H01L29/36;H01L29/739;H01L21/331
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 閆小龍;王忠忠

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有：

半導(dǎo)體基板，具有載流子濃度最大的載流子濃度峰值位置位于從表面離開(kāi)1μm以上的位置的集電極層；以及

集電極電極，以與所述集電極層的表面接觸的方式形成。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述載流子濃度峰值位置的載流子濃度為1×10¹⁸[atoms/cm³]以下。

3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述集電極層在所述載流子濃度峰值位置與所述集電極電極之間具有載流子濃度比所述載流子濃度峰值位置的載流子濃度低的第二載流子濃度峰值位置。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述第二載流子濃度峰值位置位于所述集電極層的與所述集電極電極接觸的位置。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述半導(dǎo)體基板由寬帶隙半導(dǎo)體形成。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述寬帶隙半導(dǎo)體是碳化硅、氮化鎵類材料或者金剛石。

7.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：

在半導(dǎo)體基板的表面形成表面結(jié)構(gòu)；

對(duì)所述半導(dǎo)體基板的背面進(jìn)行離子注入；

利用退火使通過(guò)所述離子注入所注入的摻雜劑活性化，形成集電極層；

在形成所述集電極層的工序之后，對(duì)所述集電極層的在所述退火時(shí)露出到外部的部分進(jìn)行刻蝕；

在所述進(jìn)行刻蝕的工序之后，以與所述集電極層接觸的方式形成集電極電極。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在形成所述集電極層的工序中，所述集電極層的載流子濃度最大的載流子濃度峰值位置位于從所述半導(dǎo)體基板的背面離開(kāi)1μm以上的位置，

所述刻蝕在所述載流子濃度峰值位置停止。