[發明專利]高頻開關

有效

• 申請號: 201210018214.2
• 申請日: 2012-01-19
• 公開（公告）號: CN103219974A
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發明（設計）人: 杉浦毅;乙部英一郎;丹治康紀;小谷典久
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H03K17/56
• 分類號: H03K17/56
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

技術領域

本發明涉及高頻開關，尤其涉及使用于無線通信設備的前端部的高頻開關。?

背景技術

使用于便攜式電話機的前端部的高頻開關，例如使用在GSM(Global?System?for?Mobile?Communications，全球移動通信系統)終端時，因為輸出35dBm的高功率，因此需要可以適應這種高功率。?

作為與此相關的現有技術，已經公開了串聯連接多個FET(Field?Effect?Transistor，場效應晶體管)構成高頻開關的各開關部，并且將施加在各開關的電壓均等分配在作為構成要素的多個FET上，從而提高高頻開關的內壓的結構(引用文獻1)。?

專利文獻1：日本專利公開2005-515657號公報。?

然而，形成在硅基板的MOSFET(Metal?Oxide?Semiconductor?Field?Effect?Transistor，金屬氧化層半導體場效晶體管)在源極/漏極各端子和基極端子之間具有寄生二極管。并且，如果在發送信號時從導通端口(ON?Port)側的開關部通過共用端口輸入到天線的功率變大，則在構成截止端口(OFF?Port)側開關部的MOSFET中，會使距共用端口近的MOSFET的上述寄生二極管導通，從而會產生信號波形失真的現象。該現象會使高?頻開關的失真特性(諧波特性)劣化，但是上述現有技術不能解決這樣的問題。?

發明內容

本發明用于解決上述問題，即在構成各開關部的金屬氧化層半導體場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor?Field-Effect?Transistor：MOSFET)中在連接在共用端口的MOSFET的基極端子與連接在共用端口的端子(漏極端子)之間連接電容器。從而，將從共用端口向截止端口(OFF?Port)側的開關施加的高功率的發送信號向基極端子進行前饋，從而防止上述寄生二極管被導通，因此其目的為抑制高頻開關的失真特性的劣化。?

為了解決上述問題，根據本發明的高頻開關，包括：向天線輸出發送信號的共用端口；輸入上述發送信號的發送端口；連接在多個上述發送端口和上述共用端口之間，并導通或者切斷從各發送端口到上述共用端口的上述發送信號的多個開關部。且上述開關部具有形成在硅基板的一個以上的MOSFET，并且在上述MOSFET中在連接在上述共用端口的MOSFET的基極端子和連接在上述共用端口的端子之間連接有電容器。?

即，根據本發明的高頻開關，通過上述電容，將從共用端口側向OFF?Port側的開關輸入的高功率的發送信號向基極端子進行前饋，從而防止寄生二極管被導通。?

使用根據本發明的高頻開關，可抑制高頻開關的失真特性的劣化。?

附圖說明

圖1是示出根據本發明實施方式的高頻開關和連接有前饋電容器的MOSFET的等效電路的圖。?

圖2是示出在現有高頻開關中OFF?Port的開關部使失真特性劣化的現象的圖。?

圖3是示出根據本發明實施方式的高頻開關中防止發送信號失真特性劣化的前饋電容的功能的說明圖。?

具體實施方式

下面對根據本發明實施方式的高頻開關進行詳細說明。?

圖1是示出根據本發明實施方式的高頻開關A和連接有前饋電容器的MOSFET的等效電路B的圖紙。?

高頻開關一般使用于無線通信設備的前端部，并且具有根據發送/接收的轉換、接收方式的轉換以及發送方式的轉換中的至少一個進行端口轉換的功能。根據本實施方式的高頻開關，可以為由根據發送方式的轉換進行端口轉換的SPDT(Single?Pole?Double?Throw，單刀多擲)開關構成的高頻開關。?

圖1的A是示出根據本實施方式的由SPDT開關構成的高頻開關的圖。根據本實施方式的高頻開關，根據發送方式的轉換進行端口轉換。即，例如進行在GSM終端的波段的轉換(例如，窄帶的850NHz和寬帶的1900MHz的轉換)。?

如圖1的A所示，高頻開關1包括通過共用端口CX共同(并聯)連接在天線110的第1開關部100A和第2開關部100B。第1開關部100A連接在第1發送端口TX1和共用端口CX之間，第2開關部100B連接在第2發送端口TX2和共用端口CX之間。?