[發明專利]具有多層勢壘結構的氮化鎵基發光二極管

無效

• 申請號: 201210017954.4
• 申請日: 2012-01-20
• 公開（公告）號: CN102544281A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 葉孟欣;吳志強;盧國軍
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.具有多層勢壘結構的氮化鎵基發光二極管，包含：?

襯底；

由氮化物半導體分別形成的n側層和p側層，位于襯底之上；

在n側層和p側層之間具有由氮化物半導體構成的活性層；

活性層由阱層、多層勢壘結構層依次層疊構成；

多層勢壘結構層由一第一氮化鋁銦鎵薄層和一第二氮化鋁銦鎵薄層交互重復堆疊形成。

2.根據權利要求1所述的具有多層勢壘結構的氮化鎵基發光二極管，其特征在于：所述多層勢壘結構層是由第一氮化鋁銦鎵薄層和第二氮化鋁銦鎵薄層交互重復堆疊所形成的超晶格結構，其重復次數至少為二次。

3.根據權利要求1或2所述的具有多層勢壘結構的氮化鎵基發光二極管，其特征在于：所述第一氮化鋁銦鎵薄層為Al_x1In_y1Ga_1-x1-y1N所構成,?0<x1<1,?0<y1<1，x1+y1<1，第二氮化鋁銦鎵薄層為Al_x2In_y2Ga_1-x2-y2N所構成,?0≤x2<1,?0<y2<1，x2+y2<1，其中x1≠x2，y1≠y2。

4.根據權利要求1或2所述的具有多層勢壘結構的氮化鎵基發光二極管，其特征在于：所述多層勢壘結構層的厚度小于或等于600埃。

5.根據權利要求1或2或3或4所述的具有多層勢壘結構的氮化鎵基發光二極管，其特征在于：所述第一氮化鋁銦鎵薄層的厚度為5～50埃，其n型摻雜濃度小于5×10¹⁸cm^-3。

6.根據權利要求1或2或3或4所述的具有多層勢壘結構的氮化鎵基發光二極管，其特征在于：所述第二氮化鋁銦鎵薄層的厚度為5～50埃，其n型摻雜濃度小于5×10¹⁸cm^-3。

7.根據權利要求3所述的具有多層勢壘結構的氮化鎵基發光二極管，其特征在于：所述第一氮化鋁銦鎵薄層，其Al、In、Ga組分是固定的。

8.根據權利要求3所述的具有多層勢壘結構的氮化鎵基發光二極管，其特征在于：所述第一氮化鋁銦鎵薄層，其Al、In、Ga組分是變化的。

9.根據權利要求3所述的具有多層勢壘結構的氮化鎵基發光二極管，其特征在于：所述第二氮化鋁銦鎵薄層，其Al、In、Ga組分是固定的。

10.根據權利要求3所述的具有多層勢壘結構的氮化鎵基發光二極管，其特征在于：所述第二氮化鋁銦鎵薄層，其Al、In、Ga組分是變化的。