[發明專利]晶硅太陽能電池及晶硅太陽能電池邊緣刻蝕的方法無效
| 申請號： | 201210017809.6 | 申請日： | 2012-01-19 |
| 公開（公告）號： | CN102593241A | 公開（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發明（設計）人： | 陳劍輝;趙文超;王建明;陳迎樂;王子謙;沈燕龍;李高非;胡志巖;熊景峰 | 申請（專利權）人： | 英利能源（中國）有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;C30B33/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 071051 河*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 太陽能電池 邊緣 刻蝕 方法 | ||
1.一種晶硅太陽能電池邊緣刻蝕的方法，用于去除經擴散工序后在硅片邊緣形成的擴散層，其特征在于，包括如下步驟：
1)生成耐堿薄膜層于所述硅片的上表面和下表面，得到具有耐堿薄膜層的硅片；
2)使用第一預設濃度的堿性溶液以第一預設溫度清洗具有耐堿薄膜層的硅片第一預設時間，得到堿洗后的硅片；
3)將堿洗后的硅片置于第二預設濃度的酸性溶液中以第二預設溫度酸洗第二預設時間，得到酸洗后的硅片；
4)使用第三預設溫度的去離子水清洗酸洗后的硅片第三預設時間，得到清洗后的硅片；
5)對清洗后的硅片進行去離子水提拉清洗，并烘干，得到去除邊緣擴散層的硅片。
2.根據權利要求1所述的晶硅太陽能電池邊緣刻蝕的方法，其特征在于，所述耐堿薄膜層為SiNX薄膜層或SiO2薄膜層或Al2O3薄膜層。
3.根據權利要求1所述的晶硅太陽能電池邊緣刻蝕的方法，其特征在于，所述堿性溶液為KOH溶液，或NaOH溶液，或KOH和NaOH的混合溶液。
4.根據權利要求1所述的晶硅太陽能電池邊緣刻蝕的方法，其特征在于，所述第一預設濃度為10～45％wt。
5.根據權利要求1所述的晶硅太陽能電池邊緣刻蝕的方法，其特征在于，所述第一預設溫度為50～95℃。
6.根據權利要求1所述的晶硅太陽能電池邊緣刻蝕的方法，其特征在于，所述第一預設時間為5～10min。
7.根據權利要求1所述的晶硅太陽能電池邊緣刻蝕的方法，其特征在于，所述第二預設濃度為3～50％wt。
8.根據權利要求1所述的晶硅太陽能電池邊緣刻蝕的方法，其特征在于，所述第二預設溫度為20～80℃。
9.根據權利要求1所述的晶硅太陽能電池邊緣刻蝕的方法，其特征在于，所述第二預設時間為5～10min。
10.根據權利要求1所述的晶硅太陽能電池邊緣刻蝕的方法，其特征在于，所述第三預設溫度為30～90℃。
11.根據權利要求1所述的晶硅太陽能電池邊緣刻蝕的方法，其特征在于，所述第三預設時間為5～10min。
12.一種晶硅太陽能電池，通過對硅片進行制絨工藝、擴散工藝、玻璃去除工藝和邊緣刻蝕工藝等方法制備，其特征在于，所述邊緣刻蝕工藝為如權利要求1-11任意一項所述的晶硅太陽能電池邊緣刻蝕的方法。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
