[發明專利]一種四質量塊線振動硅微陀螺敏感裝置

有效

• 申請號: 201210017308.8
• 申請日: 2012-01-19
• 公開（公告）號: CN103217151B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發明（設計）人: 鄭辛;楊軍;劉曉智;劉大俊;劉迎春;盛潔;楊軼博;章敏明;廖興才
• 申請（專利權）人: 北京自動化控制設備研究所
• 主分類號: G01C19/5712
• 分類號: G01C19/5712
• 代理公司: 核工業專利中心 11007
• 代理人: 高尚梅

1.一種四質量塊線振動硅微陀螺敏感裝置，包括敏感結構(10)和分別設置敏感結構(10)上下兩側的上封帽(20)、下封帽(30)，其特征在于：所述的敏感結構(10)包括4個質量塊(11)。

2.如權利要求1所述的一種四質量塊線振動硅微陀螺敏感裝置，其特征在于：所述的敏感結構(10)包括4個質量塊(11)、4組支撐梁(12)、8組驅動動齒(13)、8組驅動定齒(14)、8個驅動定齒連接塊(16)、8個驅動定齒鉚接塊(15)、中心支撐點(18)、4個連接結構(17)，4個質量塊(11)沿圓周方向均勻布置，每個質量塊(11)均通過一個支撐梁(12)與中心支撐點(18)連接，每個質量塊(11)的兩側均帶有驅動動齒(13)，在相鄰質量塊(11)之間設置2個驅動定齒連接塊(16)，該驅動定齒連接塊(16)為扇形柱體零件，在朝向相鄰的質量塊(11)一側的側壁上設置驅動定齒(14)，該驅動定齒(14)通過在驅動定齒連接塊(16)的側壁上設置凸起實現，驅動定齒連接塊(16)的一端設置驅動定齒鉚接塊(15)，兩個相鄰的驅動定齒鉚接塊(15)的外端設置一個連接結構(17)，所有連接結構(17)均勻設置在敏感結構(10)外側，每個連接結構(17)角度范圍均跨越相臨的兩個質量塊(11)所在的角度范圍，所述的驅動動齒(13)與驅動定齒(14)交錯布置，形成變面積式驅動梳齒，質量塊(11)、支撐梁(12)、驅動動齒(13)等厚；驅動定齒(14)、驅動定齒連接塊(16)、驅動定齒鉚接塊(15)、中心支撐點(18)、?連接結構(17)等厚。

3.如權利要求2所述的一種四質量塊線振動硅微陀螺敏感裝置，其特征在于：所述的4個質量塊(11)沿圓周方向均勻布置時，相對的兩個質量塊(11)為一組，工作狀態下保持同向運動；另一對質量塊(11)為一組，工作狀態下運動方向與前一組運動方向相反。

4.如權利要求3所述的一種四質量塊線振動硅微陀螺敏感裝置，其特征在于：驅動定齒(14)的上表面高于驅動動齒(13)2～3μm；驅動定齒(14)的下表面低于驅動動齒(13)2～3μm。

5.如權利要求4所述的一種四質量塊線振動硅微陀螺敏感裝置，其特征在于：所述的上封帽(20)由上封帽器件層(20a)、上封帽絕緣層(20b)、上封帽支撐層(20c)組成，上封帽(20)中的器件層(20a)包括4個平面電極塊(21)、4個連接結構(23)、8個驅動定齒鉚接塊(22)及1個中心支撐點(24)，平面電極塊(21)呈扇形，位置與敏感結構(10)上質量塊(11)一一對應；連接結構(23)呈刀形，每個連接結構(23)與平面電極塊(21)連接，其中刀柄連接刀面與平面電極塊(21)，刀面位置與敏感結構(10)上的連接結構(17)相對應；驅動定齒鉚接塊(22)位置與敏感結構(10)上的驅動定齒鉚接塊(15)相對應；上封帽中心支撐點(24)位置與敏感結構(10)上的中心支撐點(18)相對應，

上封帽(20)中的絕緣層(20b)為圓片結構，上面帶有8個平面電極引線孔(25)、4個驅動引線孔(26)、1個中心支撐點引線孔(27)，平面電極引線孔(25)位置與器件層(20a)上的平面電極塊?(21)相對應；驅動引線孔(26)位置與器件層(20a)上的驅動定齒鉚接塊(22)相對應；中心支撐點引線孔(27)位置與器件層(20a)上的上封帽中心支撐點(24)相對應，

上封帽(20)中的支撐層(20c)為圓型結構，上面帶有8個平面電極引線孔(25)、4個驅動引線孔(26)、1個中心支撐點引線孔(27)，平面電極引線孔(25)位置與絕緣層(20b)上的平面電極引線孔(25)相對應；驅動引線孔(26)位置與絕緣層(20b)上的驅動引線孔(26)相對應；中心支撐點引線孔(27)位置與絕緣層(20b)上的中心支撐點引線孔(27)相對應。

6.如權利要求5所述的一種四質量塊線振動硅微陀螺敏感裝置，其特征在于：所述的下封帽(30)由下封帽器件層(30a)、下封帽絕緣層(30b)、下封帽支撐層(30c)組成，下封帽(30)中的器件層(30a)與上封帽(20)中的器件層(20a)相同，下封帽(30)中的器件層(30a)與上封帽(20)中的器件層(20a)關于敏感結構(10)對稱放置，下封帽(30)中絕緣層(30b)及支撐層(30c)為圓片結構。