[發明專利]多值存儲電路的讀取電路及讀取方法

無效

• 申請號: 201210016651.0
• 申請日: 2012-01-18
• 公開（公告）號: CN102543147A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 王源;高曉敏;何燕東;杜剛;康晉鋒;張興
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: G11C7/08
• 分類號: G11C7/08
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種多值存儲電路的讀取電路，其特征在于，包括：第一靈敏放大器、第二靈敏放大器、第三靈敏放大器、n型MOS晶體管和p型MOS晶體管；所述第一靈敏放大器分別接收選中單元和第一參考單元的信號，第二靈敏放大器分別接收選中單元和第二參考單元的信號，第三靈敏放大器分別接收選中單元和第三參考單元的信號，所述第二靈敏放大器的輸出端輸出MSB信號，所述n型MOS晶體管和p型MOS晶體管的柵極接收MSB信號，所述第一靈敏放大器的輸出端連接n型MOS晶體管的源極，所述第三靈敏放大器的輸出端連接p型MOS晶體管的源極，所述n型MOS晶體管和p型MOS晶體管的漏極并聯輸出LSB信號。

2.如權利要求1所述的多值存儲電路的讀取電路，其特征在于，所述第一靈敏放大器、第二靈敏放大器和第三靈敏放大器均包括：p型MOS晶體管PM、PM1、PM2、PM3、PM4，和n型MOS晶體管NM、NM1、NM2，其中，PM1、PM2的源極分別接收選中單元和參考單元的信號，PM1的漏極連接PM2、NM1的源極和PM3、NM2的柵極，PM2的漏極連接PM3、NM2的源極和PM2、NM1的柵極，PM2、PM3的漏極并聯連接PM的源極，NM1、NM2的漏極并聯連接NM的源極，NM的漏極輸出放大信號，PM的漏極接工作電壓，PM、PM1、PM2和NM的柵極接收使能信號。

3.一種利用權利要求1-2中任一項所述電路對多值存儲電路進行讀取的方法，其特征在于，包括以下步驟：

A：選中單元的信號分別與第一參考單元、第二參考單元和第三參考單元的信號進行比較；

B：選中單元與第一參考單元、第三參考單元的比較結果分別經第一靈敏放大器、第三靈敏放大器得到兩路信號；

C：選中單元與第二參考單元的比較結果經第二靈敏放大器得到MSB信號；

D：若MSB為高電平，則將選中單元與第一參考單元比較結果輸出作為LSB信號；否則，將選中單元與第三參考單元比較結果輸出作為LSB信號。

4.如權利要求3所述的對多值存儲電路進行讀取的方法，其特征在于，還包括：通過控制第一靈敏放大器、第二靈敏放大器和第三靈敏放大器的使能信號，使得選中單元與第一參考單元及第三參考單元的比較結果的輸出先于選中單元與第二參考單元的比較結果MSB的輸出的步驟。