[發(fā)明專利]小直徑射頻驅(qū)動氘氘中子管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210016397.4 | 申請日： | 2012-01-19 |
| 公開（公告）號： | CN102548181A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李庚 | 申請（專利權(quán)）人： | 哈爾濱市源盛達(dá)電子技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H05H3/06 | 分類號： | H05H3/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 150006 黑龍江省哈爾濱市*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 直徑 射頻 驅(qū)動 中子 | ||
1.一種小直徑射頻驅(qū)動氘氘中子管，包括：三個外引接線柱一、等離子體發(fā)生器、儲存器、門電極、加速電極、靶、陰極、外殼、絕緣層和兩個外引接線柱二，其特征在于，所述的等離子體發(fā)生器、儲存器和門電極均設(shè)置在外殼內(nèi)的一側(cè)，加速電極、靶和陰極均設(shè)置在外殼內(nèi)的另一側(cè)，加速電極和陰極均設(shè)置在靶內(nèi)，陰極的一端與加速電極固定連接，陰極的另一端與一個外引接線柱二固定連接，靶的一端固定連接有一個外引接線柱二，儲存器設(shè)置在等離子體發(fā)生器的內(nèi)側(cè)，門電極設(shè)置在等離子體發(fā)生器的外側(cè)，等離子體發(fā)生器、儲存器和門電極各與一個外引接線柱一固定連接，外殼的內(nèi)壁上固結(jié)有一層絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小直徑射頻驅(qū)動氘氘中子管，其特征在于，所述外殼的外徑最小為22mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的小直徑射頻驅(qū)動氘氘中子管，其特征在于，所述絕緣層的厚度為1.5～2.5mm。?
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