[發明專利]三維集成電路結構及材料的制造方法

有效

• 申請號: 201210016388.5
• 申請日: 2012-01-19
• 公開（公告）號: CN102543855A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 郭福春;劉冬生
• 申請（專利權）人: 訊創(天津)電子有限公司;郭福春;劉冬生
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/02
• 代理公司: 天津市杰盈專利代理有限公司 12207
• 代理人: 王小靜

1.一種三維集成電路結構及材料的制造方法，其特征在于它是經過如下的步驟：

1)在熱塑性承載材料中加入非金屬光誘導催化劑醇類和/或醛類，用注塑機注塑成型為構件，質量含量5-10％；

2)用激光射線在構件的表面照射出的線路圖案；

3)室溫下浸入pH＝4-6的至少含一種金屬離子的溶液中，浸泡5-7分鐘；

4)用蒸餾水洗后放入pH＝5的含有還原劑的水溶液中浸泡5-7分鐘，構件的表面生成金屬核；

5)在生成金屬核的區域進行化學鍍銅，鍍層厚度為1-12微米，再中磷化學鍍鎳，鍍層厚度為2-3微米。

2.按照權利要求1所述的方法，其特征在于所述的熱塑性承載材料為：ABS、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯。

3.按照權利要求1所述的方法，其特征在于所述的醇類為固態或液態的一元、二元或三元醇。

4.按照權利要求1所述的方法，其特征在于所述的醛類為固態或液態的一元、二元、三元醛。

5.按照權利要求1所述的方法，其特征在于所述的激光射線波長范圍從248nm到10600nm，激光調制頻率從1K到1000K，脈沖寬度從4ns到200ns，激光平均功率從0.5W到100W。

6.按照權利要求1所述的方法，其特征在于所述的金屬離子溶液中為微量元素金屬鈀(Pd)、銀(質量含量小于0.1-2％)或1％-20％的Ni、Co、Fe、Cu或Zn中的一種或幾種。

7.按照權利要求1所述的方法，其特征在于所述的還原劑為聯氨、硼氫化合物、次磷酸鹽、硫代硫酸鹽、聯胺或氯化亞錫。

8.按照權利要求1所述的方法，其特征在于所述的化學鍍銅的鍍銅液配方：pH＝12，溫度60℃；無水硫酸銅12G/L；酒石酸鉀鈉43g/L；乙二胺四乙酸二鈉14g/L；甲醛21ml/L；亞鐵氰化鉀36mg/L；聯吡啶0.06g/L；氫氧化鈉調pH值；空氣攪拌；化學鍍銅的速率為2-5微米/小時。

9.按照權利要求1所述的方法，其特征在于所述的中磷化學鍍鎳液配方：pH＝4.8-5，溫度80-86℃，硫酸鎳27g/L；次磷酸鈉24g/L；醋酸鈉15g/L；乳酸30g/L；檸檬酸4g/L；十二烷基硫酸鈉1g/L；鍍鎳的速率為5-13微米/小時。

10.一種三維集成電路結構及材料的制造方法，其特征在于它是經過如下的步驟：

1)在熱塑性ABS、聚碳酸酯或聚對苯二甲酸丁二醇酯為基底的承載材料中加入1，2，3-三羥基丙醇或2-甲基丙醛，用注塑機注塑成型為構件；其中，1，2，3-三羥基丙醇或2-甲基丙醛的質量含量5-10％；

2)用激光射線在構件的表面照射出的線路圖案；所述的激光射線波長為1064nm，在機殼照射時間為0.01秒；所述的激光射線波長1064nm。

3)室溫下浸入pH＝4-6的14％氯化鎳、1％硝酸銀金屬離子的溶液中，浸泡5-7分鐘；

4)用蒸留水洗后放入pH＝5的含有次磷酸鈉25％、聯氨8％的水溶液中浸泡7分鐘，構件的表面生成相應金屬核；

5)進行化學鍍銅，鍍層厚度為8-12微米，再中磷化學鍍鎳，鍍層厚度為2-3微米；

所述的化學鍍銅的鍍銅液配方：pH＝12，溫度60℃；無水硫酸銅12g/L；酒石酸鉀鈉43g/L；乙二胺四乙酸二鈉14g/L；甲醛21ml/L；亞鐵氰化鉀36mg/L；聯吡啶0.06g/L；氫氧化鈉調pH值；空氣攪拌，化學鍍銅的速率為2-5微米/小時；

所述的磷化學鍍鎳液配方：pH＝4.8-5，溫度80-86℃，硫酸鎳27g/L；次磷酸鈉24g/L；醋酸鈉15g/L；乳酸30g/L；檸檬酸4g/L；十二烷基硫酸鈉1g/L，鍍鎳的速率為5-13微米/小時。