[發明專利]一種半導體薄膜光電性能的測試方法

無效

• 申請號: 201210016358.4
• 申請日: 2012-01-19
• 公開（公告）號: CN102539930A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 彭壽;王蕓;崔介東;曹欣;彭程
• 申請（專利權）人: 蚌埠玻璃工業設計研究院;中國建材國際工程集團有限公司
• 主分類號: G01R27/14
• 分類號: G01R27/14
• 代理公司: 安徽省蚌埠博源專利商標事務所 34113
• 代理人: 楊晉弘

1.一種半導體薄膜光電性能的測試方法，其特征在于包括以下步驟：

a、采用導電銀漿料，在半導體薄膜的薄膜表面涂制兩條間隔一定距離的長條形電極，經常溫自然干燥與固化后形成半導體薄膜的測試樣品；

b、將測試樣品放置于密封的真空腔體中，測試樣品的兩個電極分別通過導線連接數字萬用表；

c、將真空腔體掩蓋避光，通過數字萬用表對兩個電極施加一定的直流電壓，讀出數字萬用表顯示的暗電流I_d，通過公式????????????????????????????????????????????????，計算出半導體薄膜的暗電導率，

公式中，為薄膜的電導率，I為由數字萬用表讀出的電流值，a為電極的間距，V為兩電極間的直流電壓，b為電極長度，d為半導體薄膜的厚度；

d、撤除真空腔體掩蓋，用光源照射測試樣品，通過數字萬用表對兩個電極施加一定的直流電壓，讀出數字萬用表顯示的光電流Il，通過公式，計算出半導體薄膜光照條件的光電導率；

e、光電導率與暗電導率的比值即為薄膜的光敏特性。

2.根據權利要求1所述的一種半導體薄膜材料光電性能的測試方法，其特征在于：所述電極1~2cm、寬0.3~0.5cm，兩電極間距為0.8~1mm，電極厚度100~300m。

3.根據權利要求1所述的一種半導體薄膜材料光電性能的測試方法，其特征在于，步驟c、d中對兩個電極施加的直流電壓相同，所述直流電壓為80V—100V。

4.據權利要求1所述的一種半導體薄膜材料光電性能的測試方法，其特征在于，所述光源為氙燈，光照強度為800?W/m²—1000W/m²。