[發明專利]石墨烯/多孔陶瓷復合導電材料及其制備方法有效
| 申請號: | 201210016257.7 | 申請日: | 2012-01-18 |
| 公開(公告)號: | CN103219061A | 公開(公告)日: | 2013-07-24 |
| 發明(設計)人: | 黃富強;周密;畢輝 | 申請(專利權)人: | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號: | H01B1/18 | 分類號: | H01B1/18;H01B13/00 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 郭輝 |
| 地址: | 200050 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 石墨 多孔 陶瓷 復合 導電 材料 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明屬于石墨烯復合材料領域,具體涉及一種石墨烯/多孔陶瓷復合導電材料及其制備方法。所述石墨烯/多孔陶瓷復合導電材料主要用于光伏、導電材料、散熱等領域。
技術背景
石墨烯自被成功分離,就因其優異的物理特性引起科學界的廣泛興趣。作為世界上導電性最好的材料,石墨烯中的電子運動速度達到了光速的1/300,遠遠超過了電子在一般導體中的傳導速度。根據其優異的導電性,使它在微電子領域也具有巨大的應用潛力。另外石墨烯材料還是一種優良的改性劑,把石墨烯作為導電材料與各種物質復合,應用到新能源領域如光伏,儲能領域如鋰離子電池和超級電容器,散熱、導電等領域中。由于其高傳導性、高比表面積,可適用于作為電極材料助劑。在導電陶瓷開發方面,目前的導電陶瓷多是由復雜的化合物經過復合、摻雜等方法高溫退火得到的復合導電陶瓷。但它們的生產原料成本高、制備工藝復雜,復合比例要求嚴格,其應用受到各方面的限制。因此,如何突破這一瓶頸,開發出低成本、電學性能優異、可大規模生產的導電陶瓷是提高復合導電材料導電性能、降低成本的關鍵。由諸如二氧化硅,三氧化二鋁等燒結而成多孔陶瓷本身并不具有導電性能。而利用石墨烯優良的導電性能,將之與多孔陶瓷復合,不但使得多孔陶瓷具備的導電性,而且性能優良。這為導電陶瓷的制備提供了新的方法和新的思路。
發明內容
為了提升導電陶瓷材料的導電性能,本發明原創性的提出一種石墨烯/多孔陶瓷復合導電材料及其制備方法,其中,所述石墨烯/多孔陶瓷復合導電材料是由石墨烯、多孔陶瓷形成的復合材料。
在本發明一個實施方式中,本發明提供所述石墨烯/多孔陶瓷復合導電材料的制備方法,所述方法包括:
(a)將一種或多種陶瓷粉體研磨成為混合均勻、粒徑大小不一的陶瓷粉體;
(b)將所述陶瓷粉體和粘結劑共混和研磨,混合均勻后烘干,獲得烘干后的樣品;
(c)將烘干后的樣品進行成型,得到多孔的基底;
(d)將多孔的基底高溫退火成型,得到多孔的陶瓷基底;
(e)通過化學氣相沉積方法在該多孔的陶瓷基底上直接生長石墨烯,得到石墨烯/多孔陶瓷復合導電材料。
在本發明的實施方式中,所述一種或多種陶瓷粉體為選自二氧化硅、三氧化二鋁、氮化鋁、碳化硅、氧化鋯和碳化硼的陶瓷粉體。
在本發明的實施方式中,所述粘結劑為丙二醇、PVDF(聚偏氟乙烯)、PVP(聚乙烯吡咯烷酮)、PEG(聚乙二醇)、PVA(聚乙烯醇)以及它們的混合溶劑。在優選實施方式中,所述粘結劑占粉體質量的0.1%-99%。
在本發明實施方式中,所述成型通過機械壓片法、旋涂法、刮涂法進行;優選機械壓片法,其中,機械壓片法所用的模具的內徑在7mm-250mm之間;所述機械壓片在1MPa-100MPa的壓強范圍下進行1分鐘-60分鐘。
在本發明優選實施方式中,所述方法還包括將機械壓片后的多孔基片邊緣的凸起清除。
在本發明的實施方式中,在高溫退火的溫度在1000-1600℃之間,保溫時間在0.5小時-10小時之間。
在本發明的實施方式中,所述化學氣相沉積法所采用的碳源包括:甲烷、乙烯、乙炔、乙醇、乙烷、丙烷以及它們的混合氣;采用的保護氣包括:氮氣、氬氣、氦氣以及它們的混合氣;以及采用的還原氣體為氫氣。
在優選的實施方式中,所述化學氣相沉積法包括:
(a)程序升溫,升溫速率在0.5-20℃/分鐘;加熱至反應溫度600-1400℃,恒溫0-240分鐘;
(b)然后導入碳源、氫氣和保護氣,氣體流量為1-800sccm(標況毫升每分鐘),反應時間1-480分鐘;
(c)反應完畢后,控制降溫速率為10-50℃/分鐘,冷卻至室溫。
另一方面,本發明還提供上述制備方法制得的石墨烯/多孔陶瓷復合導電材料,其中,所述石墨烯/多孔陶瓷復合導電材料是由石墨烯、多孔陶瓷形成的復合材料。
再一方面,本發明提供上述石墨烯/多孔陶瓷復合導電材料在光伏、導電材料、散熱器件中的應用。
本發明公開了一種新型的石墨烯/多孔陶瓷復合導電材料的制備方法工藝簡單,過程易控制,導電性能優異,不需要在真空條件下實施背接觸層的沉積,設備投資少,可以大規模生產。此外,石墨烯/多孔陶瓷復合導電材料用作導電基底獲得了方塊電阻低于0.3Ω/sq(歐姆/平方)的優異導電性能。
附圖說明
圖1:本發明一個實施方式中的石墨烯/多孔陶瓷復合材料的掃描電鏡照片。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院上海硅酸鹽研究所,未經中國科學院上海硅酸鹽研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210016257.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種絕緣聚氯乙烯保護套電力電纜
- 下一篇:OTP存儲器





