[發明專利]一種電光開關或光衰減器

有效

• 申請號: 201210016037.4
• 申請日: 2012-01-17
• 公開（公告）號: CN103207464B
• 公開（公告）日: 2017-09-08
• 發明（設計）人: 李冰;王曉黎;陳彥青;張宗鎖
• 申請（專利權）人: 上海硅通半導體技術有限公司
• 主分類號: G02F1/025
• 分類號: G02F1/025;G02F1/01
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種電光開關或光衰減器，包括一個MZI結構，所述MZI結構包括兩條并行的波導臂，即第一波導臂和第二波導臂，所述第一波導臂和第二波導臂均包括一個波導電容器結構，其特征在于：

所述第一波導臂外接第一電信號源，所述第二波導臂外接第二電信號源；

在所述第一電信號源作用下，所述第一波導臂的波導電容器結構內載流子濃度發生變化；

在所述第二電信號源作用下，所述第二波導臂的波導電容器結構內載流子濃度不發生變化，或該載流子濃度變化小于所述第一波導臂的波導電容器結構內載流子濃度變化；

在所述第一電信號源和第二電信號源作用下，所述第一波導臂和第二波導臂的溫度變化相同或相近。

2.根據權利要求1所述的電光開關或光衰減器，其特征在于，

所述第一波導臂和第二波導臂上的波導電容器結構均為以半導體本征區作為芯區的脊波導結構；

所述第一波導臂的脊波導的兩側平板區的摻雜區的摻雜類型相反；

所述第二波導臂的脊波導的平板區包括兩個或兩個以上的摻雜區，分列所述脊波導的波導脊的兩側，所述摻雜區的摻雜類型可以相同或相反。

3.根據權利要求2所述的電光開關或光衰減器，其特征在于，

所述第一波導臂的脊波導的波導脊兩側的摻雜區的摻雜類型相反，構成PIN二極管結構；

所述第二波導臂的脊波導的波導脊兩側的摻雜區的摻雜類型相反，構成PIN二極管結構，所述第二波導臂的摻雜區的摻雜濃度小于所述第一波導臂的摻雜區的摻雜濃度。

4.根據權利要求2所述的電光開關或光衰減器，其特征在于，

所述第一波導臂的脊波導的波導脊兩側的摻雜區的摻雜類型相反，構成PIN二極管結構；

所述第二波導臂的脊波導的波導脊兩側的摻雜區的摻雜類型相同，構成NIN或者PIP結構。

5.根據權利要求2所述的電光開關或光衰減器，其特征在于，

所述第二波導臂的脊波導的平板區包括三個摻雜區，其中第一摻雜區位于所述脊波導的波導脊靠近所述第一波導臂的一側，第二摻雜區和第三摻雜區位于所述脊波導的波導脊遠離所述第一波導臂的一側；

所述第二摻雜區相對于第三摻雜區在靠近所述第一波導臂的一側；

所述第一摻雜區和第二摻雜區摻雜與所述第二波導臂的脊波導的襯底半導體類型相同的摻雜物，所述第三摻雜區摻雜與前述襯底半導體類型相反的摻雜物。

6.根據權利要求1或2所述的電光開關或光衰減器，其特征在于，

所述第一波導臂與第二波導臂上方覆蓋有一層氧化物層，所述氧化物層通過刻蝕形成電極接觸孔，所述電極接觸孔內填充有作為電極的金屬材料；

所述氧化物層和所述金屬材料上方沉積半導體材料；

通過對所述半導體材料進行摻雜，使所述半導體材料內部在正負電極之間形成反向偏置的PN結，從而所述氧化物層上的半導體材料成為良好的導熱層但不會在電極間引入電流。

7.根據權利要求6所述的電光開關或光衰減器，其特征在于，所述半導體材料為多晶硅。