[發明專利]一種高度定位氣體壓力支撐裝置

無效

• 申請號: 201210015611.4
• 申請日: 2012-01-18
• 公開（公告）號: CN103214188A
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發明（設計）人: 魏志凌;寧軍;高永強
• 申請（專利權）人: 昆山思拓機器有限公司
• 主分類號: C03C17/23
• 分類號: C03C17/23
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及壓力支撐領域，尤其是涉及一種定位氣體壓力支撐裝置。

背景技術

ITO(Indium?Tin?Oxides，銦錫氧化物)是銦錫氧化物的英文縮寫，它是一種透明的導電體，通常厚度只有幾千埃，在所有在透明導電體中，其具有特別優良的性能：高的可見光透過率，高的紅外反射率，良好的機械強度和化學穩定性，用酸溶液等濕法刻蝕工藝能很容易形成一定的電極圖極，制備相對比較容易等，這使它廣泛用于各種電子及光電子器件，如手機和電腦等平板顯示領域。因此，對ITO薄膜玻璃的表面質量要求非常高。

20世紀90年代初，隨著LCD器件的飛速發展，對ITO薄膜產品的需求量也是急劇的增加，國內部分廠家紛紛開始從國外引進一系列整廠ITO鍍膜生產線，但由于進口設備的價格昂貴，技術服務不方便等因素，使許多廠商還是望而卻步。

80年代末，中國誕生了第一條TN-LCD用ITO連續鍍膜生產線。90年代中期，隨著國內LCD產業的發展，對ITO產品的需求量增大的同時，對產品的質量有了新的要求，因此出現了第二代ITO鍍膜生產線。99年，有效的解決了射頻磁控濺射沉積SiO2薄膜的沉積速率慢影響生產線的產能和設備的利用率等一系列問題，同時出現了第三代大型高檔ITO薄膜生產線。隨著反射式LCD，增透式LCD、LCOS圖影機背投電視等顯示器件的發展，對ITO薄膜產品提出了更高的要求，SiO2/ITO兩層膜結構的ITO薄膜材料滿足不了使用的需要，而比須采用多層復合膜系已達到產品的高反射性、或高透過率等光學性能要求。積累多年的設計開發經驗，國內生產企業推出了第四代大型多層薄膜生產線。該生產線由15個真空室組成，采用全分子泵無油真空系統、使用了RF/MF/DC三種磁控濺射工藝、通過PEM/PCV進行工藝氣體的控制。該生產線具有連續沉積五層薄膜的能力。

隨著PDA、電子書等觸摸式輸入電子產品的悄然興起，相應材料的制成設備也應運而生。由于觸摸式產品工作原理的特殊性，其所需的ITO薄膜必須是在柔性材料（PET）上制成的，薄膜的沉積溫度不能太高（小于120℃），同時要求ITO膜層較薄、面電阻高而且均勻，所以對ITO薄膜的沉積工藝提出了嚴格的要求。

隨著對ITO薄膜制作工藝要求的進一步苛刻，對ITO薄膜制品在加工、處理、運輸過程中，有著更加嚴格的要求。

早期的ITO膜玻璃均為單面鍍膜，隨著iphone手機等設備的出現越來越多地采用雙面ITO膜玻璃。在ITO薄膜玻璃制備、加工領域中，使用的支撐機構大多比較粗糙，很多直接使用支撐平臺，不僅增大輕薄的ITO薄膜玻璃與平臺的接觸面，容易沾上較多的灰塵，而且也容易在ITO薄膜玻璃與支撐平臺發生相對位移時，發生摩擦，造成ITO薄膜玻璃表面劃傷，同時在取放時也不是非常方便。鑒于此，在降低輕薄ITO薄膜制品與接觸面之間的多少和摩擦，以減少可能造成的表面污染和可能發生的相對移動時造成的損傷，成為一種理想的選擇；同時，在ITO膜玻璃加工過程中，支撐裝置的平面度也相當重要，在采取陣列支撐裝置同時進行加工時，如果平面度不夠精準，很容易造成表面加工損傷，因此一種在達到減少表面污染和因滑動造成損傷的同時，需要保證支撐陣列高度的精確一致。

發明內容

本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此，本發明的一個目的在于提出一種高度定位氣體壓力支撐裝置，所述高度定位氣體壓力支撐裝置可降低接觸件之間的摩擦力，降低兩者之間的磨損，同時可提供任意方向的轉動，允許球體與接觸件任意方向都可以存在位移，并且可以提供精確的預定壓力，同時，可以保證當氣體壓力柱陣列聯接平臺上時，柱體頂端形成的平面具有精確的平面度。

根據本發明實施例的一種高度定位氣體壓力支撐裝置，包括：由若干定位高度氣體壓力柱組成的定位高度氣體壓力柱陣列，所述定位高度氣體壓力柱包括球體和柱體；內部設有規則通氣管道的基座，所述定位高度氣體壓力柱陣列與所述基座相聯。