[發(fā)明專(zhuān)利]晶片封裝體及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210015337.0
• 申請(qǐng)日: 2012-01-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102593094A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樓百堯;劉滄宇;林佳升;洪子翔
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/498
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括：

一基底，具有一第一表面及一第二表面；

一導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)，位于該基底的該第一表面上；

一介電層，位于該基底的該第一表面與該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)之上，其中該介電層具有一開(kāi)口，該開(kāi)口露出部分的該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)；以及

一覆蓋層，位于該介電層之上，且填入該開(kāi)口。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括：

一孔洞，自該基底的該第二表面朝該第一表面延伸，且露出部分的該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)；

一絕緣層，位于該孔洞的一側(cè)壁之上；以及

一導(dǎo)電層，位于該孔洞的該側(cè)壁上的該絕緣層之上，其中該導(dǎo)電層電性接觸該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片封裝體，其特征在于，該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)包括堆疊的多個(gè)導(dǎo)電墊。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片封裝體，其特征在于，該孔洞露出所述導(dǎo)電墊中的一最下層導(dǎo)電墊，且該導(dǎo)電層直接接觸該最下層導(dǎo)電墊。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片封裝體，其特征在于，該孔洞至少穿過(guò)所述導(dǎo)電墊中的一最下層導(dǎo)電墊，且該導(dǎo)電層直接接觸所述導(dǎo)電墊中的一中間導(dǎo)電墊，其中該中間導(dǎo)電墊位于該最下層導(dǎo)電墊與所述導(dǎo)電墊中的一最上層導(dǎo)電墊之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片封裝體，其特征在于，該孔洞至少穿過(guò)所述導(dǎo)電墊中的一最下層導(dǎo)電墊，且該導(dǎo)電層直接接觸所述導(dǎo)電墊中的一最上層導(dǎo)電墊。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片封裝體，其特征在于，該覆蓋層的一厚度大于所述導(dǎo)電墊中的任一導(dǎo)電墊的一厚度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該覆蓋層的材質(zhì)包括一金屬材料、一陶瓷材料、一高分子材料，或前述的組合。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該覆蓋層的材質(zhì)不同于該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)的材質(zhì)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該覆蓋層直接接觸該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片封裝體，其特征在于，該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)具有一凹陷，且該覆蓋層填入該凹陷。

12.一種晶片封裝體的形成方法，其特征在于，包括：

提供一基底，具有一第一表面及一第二表面，其中該第一表面上設(shè)置有一導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)及一介電層，該介電層位于該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)之上，且具有一開(kāi)口，該開(kāi)口露出部分的該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)；以及

于該介電層上形成一覆蓋層，其中該覆蓋層填入該開(kāi)口。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，在形成該覆蓋層之后，還包括：

自該基底的該第二表面移除部分的該基底以形成朝該第一表面延伸的一孔洞，該孔洞露出部分的該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)；

于該孔洞的一側(cè)壁上形成一絕緣層；以及

于該孔洞的該側(cè)壁上的該絕緣層上形成一導(dǎo)電層，其中該導(dǎo)電層電性接觸該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)包括堆疊的多個(gè)導(dǎo)電墊。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該孔洞露出所述導(dǎo)電墊中的一最下層導(dǎo)電墊，且該導(dǎo)電層直接接觸該最下層導(dǎo)電墊。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，形成該孔洞的步驟包括移除部分的該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)而使該孔洞至少穿過(guò)所述導(dǎo)電墊中的一最下層導(dǎo)電墊，并使所述導(dǎo)電墊中的一中間導(dǎo)電墊露出，其中該中間導(dǎo)電墊位于該最下層導(dǎo)電墊與所述導(dǎo)電墊中的最上層導(dǎo)電墊之間。

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，形成該孔洞的步驟包括移除部分的該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)而使該孔洞至少穿過(guò)所述導(dǎo)電墊中的一最下層導(dǎo)電墊，并使所述導(dǎo)電墊中的一最上層導(dǎo)電墊露出。

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該覆蓋層的一厚度大于所述導(dǎo)電墊中的任一導(dǎo)電墊的一厚度。

19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該覆蓋層直接接觸該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)。

20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該覆蓋層的材質(zhì)包括一金屬材料、一陶瓷材料、一高分子材料，或前述的組合。