[發明專利]半導體器件及其形成方法

有效

• 申請號: 201210015066.9
• 申請日: 2012-01-17
• 公開（公告）號: CN102623411A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 曼弗雷德·恩格爾哈德特;福爾克爾·斯特魯特茲;卡斯滕·馮科布林斯基
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

技術領域

本發明總體上涉及半導體器件，并且更具體地涉及具有絕緣基片(襯底)的半導體器件及其形成方法。

背景技術

在電子部件的許多應用中，大電流或大電壓被施加到這些電子部件的外表面上。此類應用的實例包括電流傳感器，其中承載大電流的導體被放置在電子部件的主要表面上(典型地與其接觸)。此類應用要求工作半導體區域與極端性的靜電勢及電流良好的隔離。

因此，需要改進器件以及形成器件的方法，這些器件能為高電壓或電流應用提供了改進的隔離。

發明內容

通過本發明的示例性實施例，總體上解決了或避免了這些及其他問題，并且總體上實現了多種技術優勢。

根據本發明的實施例，一種半導體器件包括絕緣基片、以及設置于絕緣基片上的半導體基片。半導體基片的半導體材料具有與絕緣基片大致相同的熱膨脹系數。器件區域設置于半導體基片內。隔離層襯于半導體基片的側壁。

根據本發明的替代性實施例，一種半導體器件包括玻璃基片、以及設置于絕緣性基片上的半導體基片。磁性傳感器設置于半導體基片之內和/或之上。

根據本發明的替代性實施例，一種形成半導體器件的方法包括在半導體基片之內和/或之上形成器件區域。器件區域形成為與半導體基片的前側相鄰。半導體基片的背側(該背側與前側相對)附接于絕緣基片上。在不完全地切割絕緣基片的情況下對半導體基片進行切割以便暴露半導體基片的側壁，從而保持晶片的形狀用于進一步的處理。在半導體基片的被暴露的側壁上形成隔離襯里。將絕緣基片分離以便形成切割的芯片。

根據本發明的替代性實施例，一種形成半導體器件的方法包括在半導體基片之內和/或之上形成器件區域。器件區域形成為與半導體基片的前側相鄰。將絕緣基片附接于半導體基片的前側上。從背側將半導體基片打薄，背側與前側相對。在不完全地切割絕緣基片的情況下從背側切割半導體基片，從而暴露打薄的半導體基片的側壁。通過單獨分開來形成各個芯片。

以上已經相當廣義地描述了本發明實施例的特征，以便下面可以更好地理解本發明的詳細描述。以下將描述本發明實施例的附加特征及優點，它們構成了本發明的權利要求的主題。本領域的普通技術人員應當理解，在此所披露的概念及具體實施例可以很容易用作修改或設計用于執行與本發明相同目的的其他結構或工藝的基礎。本領域的普通技術人員還應當認識到這些等效構造并不背離在所附權利要求中所列舉的本發明的精神及范圍。

附圖說明

為了更完整地理解本發明及其優點，現在結合附圖參考以下說明，其中：

圖1示出了半導體器件的結構實施例；

圖2(包括圖2a至圖2g)示出了半導體器件的替代性結構實施例；

圖3(包括圖3a至圖3h)示出了根據本發明的不同實施例的在不同處理階段中的半導體器件的截面圖；

圖4(圖4a至圖4b)示出了制造半導體器件的替代性實施例；

圖5(包括圖5a至圖5i)示出了本發明的替代性實施例在不同處理階段期間的半導體器件；

圖6(圖6a至圖6h)示出了制造半導體器件的不同階段的替代性實施例；

圖7(圖7a至圖7e)示出了制造半導體器件的另一替代性實施例；

圖8(包括圖8a至圖8d)示出了根據本發明的不同實施例的芯片封裝；以及

圖9示出了根據本發明的不同實施例的半導體器件的頂視圖。

除非另外指明，否則在不同圖示中相應的數字及符號總體上指代相應的部件。這些圖示被繪制為用于清楚地示出這些實施例的相關方面而并非必須按比例繪制。

具體實施方式

以下將詳細討論不同實施例的制作及使用。然而，應當理解的是，本發明提供了許多可應用的發明構思，這些發明構思可以實施在多種具體情況中。所討論的具體實施例僅僅是展示用于制作并使用本發明的示意性的具體方式，而非限制本發明的范圍。

本發明的不同實施例全方位地描述了對芯片進行隔離的器件和方法，以便保護易受損壞的芯片部件不受高電壓和/或電流的影響。用在高電壓和/或高電流環境中的許多半導體部件要求芯片周圍的隔離區域具有良好的完整性。不良的隔離質量會對敏感器件造成不可逆轉的損害。一種非常容易受高電流損壞的器件類型包括典型地使用磁性傳感器的電流傳感器。此類器件必須放置為與高電流導體相鄰，而不會產生任何進入電流傳感器自身中的電流通路。