[發(fā)明專利]一種新型柵極圖形尺寸收縮方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210014989.2 | 申請(qǐng)日: | 2012-01-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102543712A | 公開(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊渝書;李程;陳玉文 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/3105 | 分類號(hào): | H01L21/3105;G03F7/40 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 新型 柵極 圖形 尺寸 收縮 方法 | ||
1.一種新型柵極圖形尺寸收縮方法,其特征在于:其具有以下步驟:
1)將晶圓置于加熱板上,上方設(shè)有紫外光源;
2)使用紫外光對(duì)晶圓進(jìn)行均勻照射;
3)至光阻表面交聯(lián)固化完成時(shí),加熱板進(jìn)行加熱;
4)反應(yīng)完成后,去掉紫外光,并進(jìn)行常溫冷卻;
5)進(jìn)行光阻特征尺寸的量測(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的一種新型柵極圖形尺寸收縮方法,其特征在于:所述步驟(2)中使用的紫外光波長(zhǎng)范圍為100nm~400nm。
3.如權(quán)利要求1所述的一種新型柵極圖形尺寸收縮方法,其特征在于:所述步驟(2)中使用的紫外光光強(qiáng)10~100mW/cm2。
4.如權(quán)利要求1所述的一種新型柵極圖形尺寸收縮方法,其特征在于:所述步驟(3)中加熱板加熱的溫度范圍為40~110℃。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





