[發明專利]腔室加熱裝置

有效

• 申請號: 201210014888.5
• 申請日: 2012-01-17
• 公開（公告）號: CN103208440A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發明（設計）人: 席峰;李楠;李勇滔;張慶釗;夏洋
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01J37/32;H01J37/02
• 代理公司: 北京市德權律師事務所 11302
• 代理人: 劉麗君

1.一種腔室加熱裝置，其特征在于，包括：

腔室壁加熱結構和/或載片臺加熱結構；

所述腔室壁加熱結構設置在反應腔室的內壁上；

所述載片臺加熱結構設置在載片臺底部。

2.如權利要求1所述的腔室加熱裝置，其特征在于，所述腔室壁加熱結構包括：

第一加熱線圈、引出電極及設有空腔的腔室內襯套；

所述腔室內襯套是一中空的圓柱體，所述腔室內襯套安裝在反應腔室的內壁上；

所述空腔設置在所述腔室內襯套內、外壁之間；

所述第一加熱線圈呈螺旋狀，設置在所述空腔內部。

3.如權利要求2所述的腔室加熱裝置，其特征在于：

所述第一加熱線圈的圈數是2～200圈，所述第一加熱線圈的管徑為1～200mm，直徑范圍為10～10000mm，螺旋間距為1～1000mm；

所述第一加熱線圈的管壁到腔室內襯套壁的距離為0.5～10mm；

所述腔室內襯套外壁與反應腔室內壁之間的距離為1～20mm；

所述腔室內襯套內、外壁厚均為0.5～30mm；

所述腔室內襯套內壁的直徑為100～5000mm；

所述引出電極電壓Vt為5V～2000V，加熱功率Pt為1～10000W。

4.如權利要求3所述的腔室加熱裝置，其特征在于，所述載片臺加熱結構包括：

第二加熱線圈和引出電極；所述第二加熱線圈呈平面螺旋狀，與所述引出電極連接。

5.如權利要求4所述的所述的腔室加熱裝置，其特征在于：

所述第二加熱線圈的圈數是1～50圈，所述第二加熱線圈管徑為0.5～100mm，直徑范圍為10～5000mm，螺旋間距為1～1000mm；

所述引出電極電壓Vs為5V～2000V，加熱功率為1W～5000W。

6.如權利要求2-5任一項所述的腔室加熱裝置，其特征在于：

所述加熱載片臺和腔室內襯套的溫度為20～2000℃。

7.如權利要求2-5任一項所述的腔室加熱裝置，其特征在于：

所述第一加熱線圈和第二加熱線圈為內置金屬絲加熱管、紅外加熱管、陶瓷加熱管或石墨加熱盤。

8.如權利要求2-5任一項所述的腔室加熱裝置，其特征在于：

所述第一加熱線圈和第二加熱線圈外部的絕緣材料包括陶瓷、石英或聚碳酸酯。

9.如權利要求2-5任一項所述的腔室加熱裝置，其特征在于：

所述腔室內襯套采用陽極氧化鋁合金、SiC、鉬、石墨材料制作；

所述引出電極包括銅、石墨、鉬或鍍鋅鋁。