[發明專利]一種減小雙層前金屬介電質層開裂現象的方法

無效

• 申請號: 201210014802.9
• 申請日: 2012-01-18
• 公開（公告）號: CN102543680A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 徐強;張文廣;鄭春生;陳玉文
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/768
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種減小雙層前金屬介電質層開裂現象的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1：在一P/NMOS襯底上沉積接觸刻蝕阻擋層；

步驟S2：沉積第一前金屬介電質層覆蓋所述接觸刻蝕阻擋層；

步驟S3：采用去離子水對所述第一前金屬介電質層進行清洗；

步驟S4：沉積第二前金屬介電質層覆蓋所述第一前金屬介電質層；

步驟S5：對第二前金屬介電質層進行研磨以使其厚度符合工藝需求。

2.根據權利要求1所述的減小雙層前金屬介電質層開裂現象的方法，其特征在于，步驟S1中接觸刻蝕阻擋層的材質為氮化硅。

3.根據權利要求1所述的減小雙層前金屬介電質層開裂現象的方法，其特征在于，步驟S2中采用高密度等離子體工藝沉積磷硅酸玻璃形成所述第一前金屬介電質層。

4.根據權利要求1或3所述的減小雙層前金屬介電質層開裂現象的方法，其特征在于，沉積所述第一前金屬介電質層的溫度小于500℃。

5.根據權利要求1或3所述的減小雙層前金屬介電質層開裂現象的方法，其特征在于，所述第一前金屬介電質層的厚度為800-2000A，磷濃度為2-8％。

6.根據權利要求5所述的減小雙層前金屬介電質層開裂現象的方法，其特征在于，采用單片或是多片清洗的方式對所述第一前金屬介電質層進行去離子清洗工藝，以去除其表面殘留的磷。

7.根據權利要求1所述的減小雙層前金屬介電質層開裂現象的方法，其特征在于，步驟S3中采用去離子水對所述第一前金屬介電質層進行清洗的時間為20-200s。

8.根據權利要求1所述的減小雙層前金屬介電質層開裂現象的方法，其特征在于，步驟S4中采用等離子體增強化學汽相沉積工藝淀積所述第二前金屬介電質層。

9.根據權利要求1所述的減小雙層前金屬介電質層開裂現象的方法，其特征在于，沉積所述第二前金屬介電質層的溫度為300-500℃。

10.根據權利要求1或9所述的減小雙層前金屬介電質層開裂現象的方法，其特征在于，第二前金屬介電質層的厚度為3000-10000A，其材質為SiO₂。