[發明專利]一種消除銅互連結構中銅凸起缺陷的方法無效
| 申請號： | 201210014801.4 | 申請日： | 2012-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN102543854A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發明（設計）人： | 徐強;張文廣;鄭春生;陳玉文 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 消除 互連 結構 凸起 缺陷 方法 | ||
1.一種消除銅互連結構中銅凸起缺陷的方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟S1：在一基體上依次沉積介質阻擋層、層間介質層和介電質抗反射層；
步驟S2：光刻、刻蝕介電質抗反射層和層間介質層至介質阻擋層，去除剩余介電質抗反射層后，形成嵌入層間介質層的溝槽；
步驟S3：電鍍銅充滿溝槽，并進行化學機械研磨平坦化后形成銅導線；
步驟S4：沉積高應力刻蝕阻擋層覆蓋銅導線和剩余層間介質層的上表面。
2.根據權利要求1所述的消除銅互連結構中銅凸起缺陷的方法，其特征在于，所述介質阻擋層和所述高應力刻蝕阻擋層的材質均為氮化硅。
3.根據權利要求1或2所述的消除銅互連結構中銅凸起缺陷的方法，其特征在于，步驟S4中沉積高應力刻蝕阻擋層的溫度為400℃。
4.根據權利要求3所述的消除銅互連結構中銅凸起缺陷的方法，其特征在于，步驟S4中沉積高應力刻蝕阻擋層的壓力為2Torr。
5.根據權利要求4所述的消除銅互連結構中銅凸起缺陷的方法，其特征在于，步驟S4中沉積高應力刻蝕阻擋層的晶圓間距為0.325inch。
6.根據權利要求5所述的消除銅互連結構中銅凸起缺陷的方法，其特征在于，步驟S4中沉積高應力刻蝕阻擋層的上部射頻功率為90w。
7.根據權利要求6所述的消除銅互連結構中銅凸起缺陷的方法，其特征在于，步驟S4中沉積高應力刻蝕阻擋層的上部射頻功率為30w。
8.根據權利要求7所述的消除銅互連結構中銅凸起缺陷的方法，其特征在于，采用50sccm的SiH4進行步驟S4中沉積高應力刻蝕阻擋層工藝。
9.根據權利要求8所述的消除銅互連結構中銅凸起缺陷的方法，其特征在于，采用100sccm的NH3進行步驟S4中沉積高應力刻蝕阻擋層工藝。
10.根據權利要求9所述的消除銅互連結構中銅凸起缺陷的方法，其特征在于，采用3500sccm的H2進行步驟S4中沉積高應力刻蝕阻擋層工藝。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
