[發明專利]制備雙大馬士革結構的方法

無效

• 申請號: 201210014790.X
• 申請日: 2012-01-18
• 公開（公告）號: CN102569176A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 姬峰;陳玉文;李磊;胡友存;張亮
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種制備雙大馬士革結構的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1，在半導體襯底上依次形成刻蝕阻擋層、介質層和第一金屬硬掩膜；

步驟2，在第一金屬硬掩膜上旋涂第一光刻膠，并光刻形成第一光刻圖案；

步驟3，刻蝕打開第一金屬硬掩膜并直至去除部分介質層以形成溝槽，去除第一光刻膠；

步驟4，淀積第二金屬硬掩膜；

步驟5，在所述第二金屬硬掩膜上旋涂第二光刻膠，并光刻形成第二光刻圖案；

步驟6，刻蝕打開第二金屬硬掩膜并直至去除介質層和刻蝕阻擋層以形成通孔，并去除第二光刻膠；

步驟7，在所述溝槽和通孔內填充金屬。

2.如權利要求1所述的制備雙大馬士革結構的方法，其特征在于，所述步驟7包括：

在所述溝槽和通孔的底部和側壁處生長金屬阻擋層和銅籽晶層；

在所述溝槽和通孔內形成金屬互連材料；以及

利用化學機械拋光工藝去除所述介質層上的金屬互連材料，留下所述溝槽和通孔內的金屬互連材料。

3.如權利要求2所述的制備雙大馬士革結構的方法，其特征在于，所述步驟7中的金屬阻擋層的材料為TaN或Ta。

4.如權利要求1所述的制備雙大馬士革結構的方法，其特征在于，所述步驟1包括在半導體襯底上依次形成刻蝕阻擋層、介質層、介質層保護層和第一金屬硬掩膜。

5.如權利要求1所述的制備雙大馬士革結構的方法，其特征在于，所述步驟5中在第二光刻膠下還涂覆底部抗反射涂層；步驟6中還包括去除所述底部抗反射涂層。

6.如權利要求1所述的制備雙大馬士革結構的方法，其特征在于，所述介質層為低介電常數介質層。

7.如權利要求6所述的制備雙大馬士革結構的方法，其特征在于，所述介質層的材料為硅倍半氧烷。

8.如權利要求1所述的制備雙大馬士革結構的方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材料為氮化硅或碳化硅。

9.如權利要求1所述的制備雙大馬士革結構的方法，其特征在于，所述第一金屬硬掩膜的材料為TiN或TaN。

10.如權利要求1所述的制備雙大馬士革結構的方法，其特征在于，所述第二硬掩膜的材料為TaN、Ta、TiN或Ti。