[發明專利]薄膜晶體管及制造方法、有機發光顯示裝置及制造方法

有效

• 申請號: 201210014755.8
• 申請日: 2012-01-12
• 公開（公告）號: CN102842509B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 樸炳建;樸鐘力;李東炫;徐晉旭;李基龍
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司11286
• 代理人: 薛義丹

1.一種制造薄膜晶體管的方法，所述方法包括以下步驟：

在基底上形成緩沖層、非晶硅層和絕緣層；

將非晶硅層晶化為多晶硅層；

通過同時圖案化多晶硅層和絕緣層來形成具有預定形狀的半導體層和柵極絕緣層；

通過在柵極絕緣層上形成金屬層并將金屬層圖案化來形成包括第一部分和第二部分的柵電極，其中，第一部分形成在柵極絕緣層上并與半導體層的溝道區疊置，第二部分接觸半導體層；

通過對半導體層的區域執行摻雜來在半導體層上形成源區和漏區，其中，所述區域不包括與柵電極疊置的溝道區，并且所述區域構成不與柵電極疊置的區域；

在柵電極上形成層間絕緣層以覆蓋柵極絕緣層；

在層間絕緣層和柵極絕緣層上形成接觸孔以暴露源區和漏區，并同時形成用于暴露所述第二部分的開口；

通過在層間絕緣層上形成導電層并將導電層圖案化，同時去除經開口暴露的所述第二部分，來形成源電極和漏電極，其中，源電極和漏電極經接觸孔分別電連接到源區和漏區。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，經一個工藝執行在基底上形成緩沖層、非晶硅層和絕緣層的步驟。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，通過利用固相晶化法、金屬誘發晶化法、超級晶粒硅晶化法、焦耳熱誘發晶化法之一將非晶硅層晶化為多晶硅層。

4.根據權利要求1所述的方法，所述方法還包括在緩沖層上形成金屬催化劑層的步驟，其中，通過執行熱處理將非晶硅層晶化為多晶硅層。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二部分包括柵電極的在垂直于半導體層中的電子和空穴之一的運動方向的方向上寬度大于半導體層的寬度的一部分，并且所述第二部分接觸半導體層。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二部分還接觸柵極絕緣層。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，去除所述第二部分的步驟包括一起去除所述第二部分和半導體層的接觸所述第二部分的一部分以及去除柵極絕緣層的接觸所述第二部分的一部分；

其中，緩沖層經已經去除的所述第二部分、半導體層的所述一部分以及柵極絕緣層的所述一部分的區域暴露。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，開口形成在與所述第二部分對應的層間絕緣層上。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，緩沖層包括從由氧化硅、氮化硅和氧氮化硅組成的組中選擇的至少一種材料。

10.一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：

基底；

緩沖層，設置在基底上；

半導體層，設置在緩沖層上并包括溝道區及通過使溝道區布置在其間而形成的源區和漏區，其中，溝道區相對于垂直于電子和空穴之一的運動方向的方向的寬度小于源區的寬度和漏區的寬度；

柵極絕緣層，在半導體層上被圖案化以具有與半導體層相同的形狀；

柵電極，形成在柵極絕緣層上以對應于溝道區；

層間絕緣層，形成在柵極絕緣層上以覆蓋柵電極；

源電極和漏電極，設置在層間絕緣層上并分別電連接到源區和漏區。

11.根據權利要求10所述的薄膜晶體管，其中，緩沖層包括從由氧化硅、氮化硅和氧氮化硅組成的組中選擇的至少一種材料。