[發(fā)明專利]低導(dǎo)通電阻的橫向擴散MOS半導(dǎo)體器件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210014741.6
• 申請日: 2012-01-18
• 公開（公告）號: CN102569404A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳偉元
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州市職業(yè)大學(xué)
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L29/36
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1.一種低導(dǎo)通電阻的橫向擴散MOS半導(dǎo)體器件，包括：位于P型的襯底層(1)內(nèi)的P型阱層(2)和N型輕摻雜層(3)，所述P型阱層(2)與N型輕摻雜層(3)在水平方向相鄰從而構(gòu)成一PN結(jié)，一源極區(qū)(4)位于所述P型阱層(2)，一漏極區(qū)(5)位于所述襯底層(1)內(nèi)，位于所述源極區(qū)(4)和N型輕摻雜層(3)之間區(qū)域的P型阱層(2)上方設(shè)有柵氧層(7)，此柵氧層(7)上方設(shè)有一柵極區(qū)(8)；其特征在于：所述源極區(qū)(4)與N型輕摻雜層(3)之間且位于P型阱層(2)上部開有至少兩個凹槽(11)，此凹槽(11)的刻蝕深度為源極區(qū)(4)結(jié)深的1/4～1/5之間；

所述N型輕摻雜層(3)由第一N型輕摻雜區(qū)(9)、第二N型輕摻雜區(qū)(10)和P型輕摻雜區(qū)(6)組成；所述第一N型輕摻雜區(qū)(9)的摻雜濃度高于所述P型輕摻雜區(qū)(6)的摻雜濃度，所述P型輕摻雜區(qū)(6)的摻雜濃度高于所述第二N型輕摻雜區(qū)(10)的摻雜濃度；

所述第一N型輕摻雜區(qū)(9)與第二N型輕摻雜區(qū)(10)的摻雜濃度比例范圍為：1.2∶1～1.3∶1；

所述第一N型輕摻雜區(qū)(9)位于所述第二N型輕摻雜區(qū)(10)上方；所述P型輕摻雜區(qū)(6)在水平方向上位于所述第一N型輕摻雜區(qū)(9)的中央?yún)^(qū)域且此P型輕摻雜區(qū)(6)在垂直方向上位于所述第一N型輕摻雜區(qū)(9)中央?yún)^(qū)域的中下部并與所述第二N型輕摻雜區(qū)(10)表面接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述凹槽(11)的側(cè)墻區(qū)(12)和頂墻區(qū)(13)的摻雜濃度相等，且為凹槽(11)的底部區(qū)(14)雜濃度的86～94％之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的MOS半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述第一N型輕摻雜區(qū)(9)與P型輕摻雜區(qū)(6)的摻雜濃度比例為：1.08∶1。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的MOS半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述P型阱層(2)和N型輕摻雜層(3)的結(jié)深比例為2∶1。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的MOS半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述漏極區(qū)(5)位于所述N型輕摻雜層(3)內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的MOS半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述N型輕摻雜層(3)位于所述漏極區(qū)(5)與所述P型阱層(2)之間。