[發明專利]共形涂布具有熒光特性鈍化層的白光LED芯片結構

無效

• 申請號: 201210014708.3
• 申請日: 2012-01-18
• 公開（公告）號: CN102723418A
• 公開（公告）日: 2012-10-10
• 發明（設計）人: 許并社;李學敏;劉旭光
• 申請（專利權）人: 許并社;李學敏;劉旭光
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44
• 代理公司: 太原科衛專利事務所(普通合伙) 14100
• 代理人: 朱源

1.一種共形涂布具有熒光特性鈍化層的白光LED芯片結構，其特征在于：包括具有散熱特性的次級基板（1）、藍寶石基板（2）、N型氮化鎵外延層（3）、多層量子阱氮化銦鎵主動層（4）、P型氮化鎵外延層（5）、氧化銦鋱熒光鈍化層（6）、負電極金屬層（7）、以及正電極金屬層（8）；其中，藍寶石基板（2）堆棧于具有散熱特性的次級基板（1）上；N型氮化鎵外延層（3）堆棧于藍寶石基板（2）上；多層量子阱氮化銦鎵主動層（4）堆棧于N型氮化鎵外延層（3）上，且N型氮化鎵外延層（3）部分曝露于多層量子阱氮化銦鎵主動層（4）外；P型氮化鎵外延層（5）堆棧于多層量子阱氮化銦鎵主動層（4）上；氧化銦鋱熒光鈍化層（6）堆棧于N型氮化鎵外延層（3）的曝露部分和P型氮化鎵外延層（5）上，且氧化銦鋱熒光鈍化層（6）沉積于藍寶石基板（2）的側壁、N型氮化鎵外延層（3）的側壁、多層量子阱氮化銦鎵主動層（4）的側壁、P型氮化鎵外延層（5）的側壁；負電極金屬層（7）堆棧于N型氮化鎵外延層（3）的曝露部分上；正電極金屬層（8）堆棧于P型氮化鎵外延層（5）上，且正電極金屬層（8）與氧化銦鋱熒光鈍化層（6）連接。

2.根據權利要求1所述的共形涂布具有熒光特性鈍化層的白光LED芯片結構，其特征在于：所述具有散熱特性的次級基板（1）是采用銅或氮化鋁或硅制成的。

3.根據權利要求1或2所述的共形涂布具有熒光特性鈍化層的白光LED芯片結構，其特征在于：所述藍寶石基板（2）是采用藍寶石制成的。

4.根據權利要求1或2所述的共形涂布具有熒光特性鈍化層的白光LED芯片結構，其特征在于：所述氧化銦鋱熒光鈍化層（6）是采用氧化銦和鋱制成的。

5.根據權利要求3所述的共形涂布具有熒光特性鈍化層的白光LED芯片結構，其特征在于：所述氧化銦鋱熒光鈍化層（6）是采用氧化銦和鋱制成的。

6.根據權利要求4所述的共形涂布具有熒光特性鈍化層的白光LED芯片結構，其特征在于：氧化銦和鋱的比例范圍為95:5-5:95。

7.根據權利要求5所述的共形涂布具有熒光特性鈍化層的白光LED芯片結構，其特征在于：氧化銦和鋱的比例范圍為95:5-5:95。

8.根據權利要求1或2所述的共形涂布具有熒光特性鈍化層的白光LED芯片結構，其特征在于：所述氧化銦鋱熒光鈍化層（6）是利用電子束蒸鍍系統以共形涂布方式制備而成的。

9.根據權利要求3所述的共形涂布具有熒光特性鈍化層的白光LED芯片結構，其特征在于：所述氧化銦鋱熒光鈍化層（6）是利用電子束蒸鍍系統以共形涂布方式制備而成的。

10.根據權利要求7所述的共形涂布具有熒光特性鈍化層的白光LED芯片結構，其特征在于：所述氧化銦鋱熒光鈍化層（6）是利用電子束蒸鍍系統以共形涂布方式制備而成的。