[發明專利]用于半導體晶片制造工藝的晶片承載裝置有效
| 申請號： | 201210014647.0 | 申請日： | 2009-08-07 |
| 公開（公告）號： | CN102593035A | 公開（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發明（設計）人： | 余振華;黃見翎 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/687 | 分類號： | H01L21/687;H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 李琳;張龍哺 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 半導體 晶片 制造 工藝 承載 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于半導體晶片制造工藝的晶片承載裝置，包括：
一導熱層，設置于一支撐基座上，該導熱層耦接至一加熱電路；
多個孔洞，穿過該導熱層及該支撐基座；以及
多個導熱支撐桿，耦接至該加熱電路且延伸穿過該孔洞并超出該導熱層，每一所述導熱支撐桿具有一頂端，用以與一晶片直接接觸。
2.如權利要求1所述的用于半導體晶片制造工藝的晶片承載裝置，其中每一所述導熱支撐桿由設置于該支撐基座上的一彈性彈簧所支撐。
3.如權利要求1所述的用于半導體晶片制造工藝的晶片承載裝置，其中每一所述導熱支撐桿由設置于一升降平臺上的一彈性彈簧所支撐，該升降平臺懸掛自一升降馬達模塊的頂端。
4.如權利要求1所述的用于半導體晶片制造工藝的晶片承載裝置，還包括一薄平面吸附電極，設置于該導熱層中，該薄平面吸附電極耦接至一直流電壓源。
5.如權利要求1所述的用于半導體晶片制造工藝的晶片承載裝置，還包括一薄平面吸附電極，設置于該導熱層中，該薄平面吸附電極耦接至一交流電壓源。
6.如權利要求1所述的用于半導體晶片制造工藝的晶片承載裝置，還包括多個第二孔洞，穿過該導熱層，所述多個第二孔洞連接至一個或更多個真空源，提供吸力以將該晶片固定在該導熱層上。
7.如權利要求1所述的用于半導體晶片制造工藝的晶片承載裝置，還包括多個晶片基底固定夾，固定在該支撐基座的一邊緣上。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
