[發(fā)明專利]室溫等離子體刻蝕制備半導(dǎo)體性單壁碳納米管的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210014357.6 | 申請日： | 2012-01-17 |
| 公開（公告）號： | CN102530854A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張亞非;蘇言杰;魏浩 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海交通大學(xué) |
| 主分類號： | B82B3/00 | 分類號： | B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31225 | 代理人： | 林君如 |
| 地址： | 200240 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 室溫 等離子體 刻蝕 制備 半導(dǎo)體 性單壁碳 納米 方法 | ||
1.室溫等離子體刻蝕制備半導(dǎo)體性單壁碳納米管的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
(1)將均勻分散在有機(jī)溶劑中的碳納米管滴在載玻片上并烘干；
(2)將烘干后載玻片放入等離子處理設(shè)備中并抽真空至10-2Pa；
(3)調(diào)節(jié)等離子體處理腔內(nèi)低壓氣體的壓力、等離子體功率、刻蝕時(shí)間實(shí)現(xiàn)對金屬性單壁碳納米管的刻蝕，留下半導(dǎo)體性單壁碳納米管，即為產(chǎn)品。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的室溫等離子體刻蝕制備半導(dǎo)體性單壁碳納米管的方法，其特征在于，所述的有機(jī)溶劑為N、N-二甲基甲酰胺、異丙醇或乙醇。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的室溫等離子體刻蝕制備半導(dǎo)體性單壁碳納米管的方法，其特征在于，所述的碳納米管在有機(jī)溶劑中的固含量為5～20mg/100ml。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的室溫等離子體刻蝕制備半導(dǎo)體性單壁碳納米管的方法，其特征在于，所述的低壓氣體為單質(zhì)氣體，包括氬氣、氦氣、氮?dú)狻錃饣蜓鯕狻?/p>
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的室溫等離子體刻蝕制備半導(dǎo)體性單壁碳納米管的方法，其特征在于，所述的低壓氣體為化合物氣體，包括一氧化碳、二氧化碳或甲烷。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的室溫等離子體刻蝕制備半導(dǎo)體性單壁碳納米管的方法，其特征在于，所述的低壓氣體的壓力為1～100Pa。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的室溫等離子體刻蝕制備半導(dǎo)體性單壁碳納米管的方法，其特征在于，所述的等離子體功率為10～100W。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的室溫等離子體刻蝕制備半導(dǎo)體性單壁碳納米管的方法，其特征在于，所述的刻蝕時(shí)間為0.1～60min。
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