[發(fā)明專利]圓片級(jí)封裝優(yōu)化工藝

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210014210.7
• 申請(qǐng)日: 2012-01-17
• 公開（公告）號(hào): CN102543781A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 石磊;吳曉純;陶玉娟;高國(guó)華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南通富士通微電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/60
• 分類號(hào): H01L21/60;H01L21/56
• 代理公司: 北京市惠誠(chéng)律師事務(wù)所 11353
• 代理人: 雷志剛;潘士霖

1.一種圓片級(jí)封裝優(yōu)化工藝，其特征在于，包括步驟：

在芯片的焊盤上形成鍵合金屬凸塊，所述鍵合金屬凸塊高于鈍化層表面；

在芯片上形成保護(hù)膠，所述保護(hù)膠將鈍化層和鍵合金屬凸塊覆蓋；

研磨保護(hù)膠層，使鍵合金屬凸塊的表面裸露；

在裸露的鍵合金屬凸塊表面上形成焊料凸點(diǎn)并回流。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓片級(jí)封裝優(yōu)化工藝，其特征在于，在形成鍵合金屬凸塊之前預(yù)先對(duì)圓片進(jìn)行減薄。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓片級(jí)封裝優(yōu)化工藝，其特征在于，單個(gè)焊盤上的鍵合金屬凸塊為一個(gè)或垂直方向上多個(gè)疊加。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓片級(jí)封裝優(yōu)化工藝，其特征在于，研磨保護(hù)膠后，對(duì)裸露的鍵合金屬凸塊表面進(jìn)行微蝕刻處理或等離子清洗。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓片級(jí)封裝優(yōu)化工藝，其特征在于，回流后對(duì)圓片上的封裝單元進(jìn)行切割。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的一種圓片級(jí)封裝優(yōu)化工藝，其特征在于，所述鍵合金屬凸塊的材質(zhì)為金或銅或鋁。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓片級(jí)封裝優(yōu)化工藝，其特征在于，所述保護(hù)膠的材質(zhì)為環(huán)氧樹脂。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓片級(jí)封裝優(yōu)化工藝，其特征在于，所述焊料凸點(diǎn)的材質(zhì)是純錫或錫合金。