[發明專利]回音壁模微腔激光二極管的制備方法有效
| 申請號: | 201210014092.X | 申請日: | 2012-01-17 |
| 公開(公告)號: | CN102545046A | 公開(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發明(設計)人: | 徐春祥;朱剛毅;戴俊;林毅;石增良;理記濤 | 申請(專利權)人: | 東南大學 |
| 主分類號: | H01S5/14 | 分類號: | H01S5/14;H01S5/042 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
| 地址: | 210096*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 回音壁 模微腔 激光二極管 制備 方法 | ||
技術領域
本發明設計利用氣相傳輸法或水熱法制備高品質單晶ZnO微米棒,分離出單根ZnO微米棒并將之與涂有p型聚合物薄膜的p型GaN結合形成pn結,接著在上面旋涂一層有機或者無機透明絕緣薄膜,其次利用反應離子刻蝕或者光刻工藝使ZnO微米棒表面暴露。接著在ZnO微米棒表面制備透明導電薄膜電極,最后在p型GaN表面制備歐姆接觸的金屬電極。以上述方法和工藝流程獲得的發光pn結能夠獲得高品質的紫外電泵浦回音壁模微激光輻射。
背景技術
自日本科學家和美國科學家相繼發現了ZnO薄膜和納米線中的紫外光輻射以來,ZnO成為了設計紫外激光器的理想材料。ZnO微納米結構中的紫外激射模式可以分為三種:隨機激光、Fabry-Perot激光,、回音壁模激光。在隨機激光中,相干反饋是靠回程散射自發形成的,它通常產生于無序分布納米顆粒、多晶薄膜以及其它形貌的納米結構中,激光產生的條件是散射體的尺寸接近或小于波長,激光的傳輸的路徑是在納米結構的間隙中而不是內部,正反饋機理可以用Anderson定域化理論來解釋:當光在無序介質中傳播時,若散射光子在介質中的平均自由程小于或等于波長時,光可能產生回程散射,從而形成一個閉合環形光路。若光在沿環路傳播過程中的增益大于損耗,并且運行一周相位改變為???????????????????????????????????????????????的整數倍,就可能形成振蕩激光。因為晶體邊界散射嚴重,因此隨機激光光路中的光學損耗大,通常隨機激射閾值十分高,并且激射模式不固定。F-P型激光是由某種帶有平行晶面的納米結構,如納米線、納米棒以及納米薄膜等產生的,兩個平行的晶面必須是較理想的平面。其工作原理類似于傳統的F-P腔型激光器,兩平行面相當于兩個腔鏡,然而由于ZnO兩端界面處反射率較低,因此F-P模激射的閾值也比較高。回音壁模激射是利用光路在ZnO六邊形微米棒中內不斷全反射形成的,光學全反射能有效的將光線束縛在腔體內,因此光學損耗及其微弱,所以ZnO回音壁模微米棒能輸出高品質因子和低閾值的激光輻射。
目前,上述三種模式ZnO的紫外激射在光學泵浦都可以實現的,人們均采用了脈沖激光器泵浦ZnO微納米結構以使粒子數發生反轉,使得光學增益大于光學損耗以形成激光輻射。現有的研究工作已經開始著力于發展ZnO電致發光,由于人們難以獲得穩定的p型ZnO材料。因此研究者通常在p型硅或p型GaN表面生長ZnO薄膜形成pn結,而這種薄膜pn結由于缺少合適的腔體結構,只能形成沒有固定模式的隨機激光。隨機激光的穩定性和可重復性不強,而且激光波長是不可控的,所以隨機激光仍然是不夠理想的。ZnO微米棒具有六角纖維鋅礦結構,提供一個理想的激光腔體結構,形成的回音壁模式有較低的激光閾值,固定的激光模式和輸出方向。n-ZnO微米棒/ZnO?緩沖層/p型GaN結構的回音壁模微腔激光二極管的制備已有報道。這里我們提出了一種新的結構n型ZnO微米棒/p型聚合物半導體/p型GaN,加入p型聚合物加入既保證了pn結構,使各層之間良好的電學接觸,又改善了ZnO微米棒腔體中的全反射條件,使損耗會降低,增益提高。最后在ZnO微米棒表面制備透明導電薄膜來作為電極,規避了金屬電極的不透明造成的光損失,提高激光的出射率。
發明內容
技術問題:本發明的目的是提供一種回音壁模微腔激光二極管的制備方法。其激光輸出波長通過調節ZnO微米棒直徑得到調控。
技術方案:在本發明中,利用氣相傳輸法或者水熱法制備ZnO微米棒陣列,將單根ZnO微米分散在p型GaN襯底上,為實現p型GaN和ZnO微米棒的有效結合,在GaN和ZnO微米棒之間引入一層p型聚合物薄膜。從而實現接觸截面處晶體完全結合的pn結。其后在pn結上制備有機或無機透明絕緣薄膜,再利用反應離子刻蝕或光刻工藝對透明絕緣薄膜進行刻蝕,使得ZnO微米棒表面暴露。接著利用磁控濺射在ZnO微米棒表面制備透明導電薄膜電極,最后用電子束蒸鍍設備在p型GaN表面制備歐姆接觸電極。最終獲得n-ZnO微米棒/p型聚合物薄膜/p-GaN回音壁模微激光器。
本發明采用以下技術方案:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東南大學,未經東南大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210014092.X/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





