[發(fā)明專利]激光環(huán)路光子晶體氣室式痕量氣體分子濃度測量方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210013888.3 | 申請日: | 2012-01-17 |
| 公開(公告)號: | CN102608043A | 公開(公告)日: | 2012-07-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李志全;童凱;王志斌;牛立勇;李文超;孫宇超 | 申請(專利權(quán))人: | 燕山大學(xué) |
| 主分類號: | G01N21/31 | 分類號: | G01N21/31 |
| 代理公司: | 石家莊一誠知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13116 | 代理人: | 李合印 |
| 地址: | 066004 河北省*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 激光 環(huán)路 光子 晶體 氣室式 痕量 氣體 分子 濃度 測量方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明為一種氣體濃度測量方法,特別涉及一種激光環(huán)路光子晶體氣室式痕量氣體分子濃度測量方法,可以實現(xiàn)所處環(huán)境的復(fù)雜氣體濃度的高靈敏度、高精度測量及組分的分析。
背景技術(shù)
目前用于測量痕量氣體濃度的系統(tǒng),多數(shù)采用電化方法、頻譜法、電磁法等,但是對于超低濃度痕量氣體的高靈敏度、高精度在線測量和組分分析,這些方法則難以勝任。由于氣體的吸收帶離散會產(chǎn)生氣體吸收譜線相互交疊,很難準(zhǔn)確識別其成分。此外,環(huán)境溫度和壓力的變化也會使系統(tǒng)輸出不穩(wěn)定,使其在現(xiàn)場應(yīng)用中,測量精度降低。
2011年由Wei-Cheng?Lai,Swapnajit?Chakravarty等人采用硅光子晶體波導(dǎo)用于測量甲烷氣體吸收光譜,通過高強度電場實現(xiàn)慢光來增大有效光學(xué)吸收長度,可以實現(xiàn)0.03ppm靈敏度的氣體濃度測量。《On-chip?methane?sensing?by?near-IR?absorption?signatures?in?a?photonic?crystal?slot?waveguide》,?Optics?Letters,?Vol.?36,?Issue?6,?pp.?984-986(2011)
該方法是采用光子晶體波導(dǎo)的方法來實現(xiàn)氣體濃度的測量,此方法雖較新穎,但是由于測量過程的高強度電場技術(shù)較復(fù)雜,實現(xiàn)較繁瑣,對于分析吸收譜線重疊較嚴(yán)重的氣體組分而言,靈敏度和精確度相對較低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服了現(xiàn)有技術(shù)中的不足,提供一種激光環(huán)路光子晶體氣室式痕量氣體分子濃度測量方法,其步驟是:
采用大功率固定波長的Nd:YAG激光器作為光源,采用光子晶體微腔作為循環(huán)回路中的氣室,以被測氣體作為光子晶體介質(zhì)柱內(nèi)的介質(zhì),光子晶體中心介質(zhì)KTP折射率通過外加交流電實現(xiàn)調(diào)制,以實現(xiàn)禁帶數(shù)量的增加或減少,使被測氣體吸收峰值譜線在光子晶體氣室輸出的導(dǎo)帶范圍之內(nèi);利用可調(diào)諧二極管激光器TDL與光源發(fā)出的光在PPLN晶體中進行差分,調(diào)制成1400—1600nm的可調(diào)諧激光,使其通過準(zhǔn)直透鏡進入光子晶體衰蕩腔氣室,當(dāng)腔內(nèi)光能量滿足條件時,即在足夠長的衰蕩時間內(nèi)光強度衰減至初始光腔的????????????????????????????????????????????????時,觸發(fā)控制器通過EOM關(guān)斷Nd:YAG光源,計算機開始記錄衰蕩時間,計算機接收波長計與觸發(fā)控制器的信號,驅(qū)動PZT調(diào)整衰蕩腔長度,為鎖相放大器提供參考信號調(diào)制TDL,而Nd:YAG的輸出由CM進行調(diào)制。從而形成適當(dāng)方位的Nd:YAG與TDL的準(zhǔn)確差分,由計算機分別記錄空腔衰蕩時間和充滿氣體時的衰蕩時間,由此得出被測氣體濃度。
所述的光子晶體微腔氣室,是利用硅橡膠和鍍膜以及氣室的塵埃過濾技術(shù)解決微腔氣室的環(huán)境溫度敏感及環(huán)境粉塵污染問題。
所述腔內(nèi)的準(zhǔn)直透鏡的作用是為了保證光傳輸過程中具有良好的平行性,其設(shè)計長度為50cm、半徑為20cm、反射系數(shù)為0.999、曲率半徑為1m的柱形光學(xué)氣體微腔。
由于采用上述技術(shù)方案,本發(fā)明提供的激光環(huán)路光子晶體氣室式痕量氣體分子濃度測量方法,與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有這樣的有益效果:???
1)基于光子晶體的極窄帶寬特性,使得光源輸出的不平坦性得到了很好的解決;
2)本發(fā)明KTP晶體為中心的光子晶體可實現(xiàn)禁帶和導(dǎo)帶數(shù)量的增加或減少,即:通過氣室的光波長范圍可調(diào)。因此對峰值相近的波長可以實現(xiàn)濾波,并通過吸收峰的準(zhǔn)確捕獲實現(xiàn)組分的分析;
3)該微腔氣室具有微型化、精度高等優(yōu)點;
4)通過調(diào)整參數(shù)使測量分辨率可高達1ppb。
本發(fā)明實現(xiàn)了超低濃度痕量氣體的高靈敏度、高精度在線測量,克服譜線交疊和輸出不穩(wěn)定等不足,可以實現(xiàn)復(fù)雜環(huán)境氣體組分分析及高分辨率的光子晶體微腔氣室。
附圖說明
圖1是連續(xù)波激光光腔衰蕩痕量氣體測量結(jié)構(gòu)原理圖;
圖2是光子晶體微腔氣室示意圖;
圖3是?光子晶體微腔氣室橫截面。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖與具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細(xì)描述:
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G01N 借助于測定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來測試或分析材料
G01N21-01 .便于進行光學(xué)測試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測試反應(yīng)的進行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)
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