[發(fā)明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210013845.5
• 申請日: 2012-01-17
• 公開（公告）號: CN103208510A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發(fā)明（設計）人: 李琮雄;杜尚暉
• 申請（專利權(quán)）人: 世界先進積體電路股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 任默聞

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

多個第一外延層，疊置于一基底上，且所述第一外延層及所述基底具有一第一導電類型，其中每一第一外延層內(nèi)具有至少一第一摻雜區(qū)及與其相鄰的至少一第二摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)具有一第二導電類型，且所述第二摻雜區(qū)具有所述第一導電類型；

一第二外延層，設置于所述第一外延層上，且具有所述第一導電類型，其中所述第二外延層內(nèi)具有一溝槽，露出下方的所述第一摻雜區(qū)；

一第三摻雜區(qū)，鄰近于所述溝槽的一側(cè)壁，且具有所述第二導電類型，其中所述第二外延層與所述第一、所述第二、及所述第三摻雜區(qū)的摻雜濃度大于每一第一外延層的摻雜濃度；以及

一柵極結(jié)構(gòu)，設置于所述第二摻雜區(qū)上方的所述第二外延層上。

2.如權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述基底具有一第四摻雜區(qū)及位于其上的一第五摻雜區(qū)，且所述第五摻雜區(qū)內(nèi)具有至少一第六摻雜區(qū)對應于所述第一摻雜區(qū)及至少一第七摻雜區(qū)相鄰于所述第六摻雜區(qū)且對應于所述第二摻雜區(qū)，且其中所述第四、所述第五及所述第七摻雜區(qū)具有所述第一導電類型，且所述第六摻雜區(qū)且具有所述第二導電類型。

3.如權(quán)利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二外延層與所述第一、所述第二、所述第三、所述第六及所述第七摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述第五摻雜區(qū)的摻雜濃度，且小于所述第四摻雜區(qū)的摻雜濃度。

4.如權(quán)利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，所述第五摻雜區(qū)包括一外延層。

5.如權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一導電類型為N型，且所述第二導電類型為P型。

6.如權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第三摻雜區(qū)位于所述溝槽內(nèi)。

7.如權(quán)利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，所述第三摻雜區(qū)包括一外延層或一多晶硅層。

8.如權(quán)利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，所述第三摻雜區(qū)包括一外延層且順應性設置于所述第一溝槽的一側(cè)壁及一底部上。

9.如權(quán)利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，更包括一介電材料層，設置于所述溝槽內(nèi)。

10.如權(quán)利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，所述介電材料層包括氧化硅或未摻雜的多晶硅。

11.如權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第三摻雜區(qū)位于所述第二外延層內(nèi)。

12.如權(quán)利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，更包括一介電材料層，設置于所述溝槽內(nèi)。

13.如權(quán)利要求12所述的半導體裝置，其特征在于，所述介電材料層包括氧化硅或未摻雜的多晶硅。

14.如權(quán)利要求12所述的半導體裝置，其特征在于，更包括一摻雜層，設置于所述溝槽內(nèi)，且位于所述介電材料層與所述第二外延層之間。

15.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

在一基底上形成疊置的多個第一外延層且在每一第一外延層內(nèi)形成至少一第一摻雜區(qū)及與其相鄰的至少一第二摻雜區(qū)，其中所述第一外延層、所述基底及所述第二摻雜區(qū)具有一第一導電類型，且所述第一摻雜區(qū)具有一第二導電類型；

在所述第一外延層上形成一第二外延層，其具有所述第一導電類型；

在所述第二外延層內(nèi)形成一溝槽，以露出下方的所述第一摻雜區(qū)；

在所述溝槽的一側(cè)壁上形成一第三摻雜區(qū)，其具有所述第二導電類型，其中所述第二外延層與所述第一、所述第二、及所述第三摻雜區(qū)的摻雜濃度大于每一第一外延層的摻雜濃度；以及

在所述第二摻雜區(qū)上方的所述第二外延層上形成一柵極結(jié)構(gòu)。

16.如權(quán)利要求15所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述基底具有一第四摻雜區(qū)及位于其上的一第五摻雜區(qū)，且所述第五摻雜區(qū)內(nèi)具有至少一第六摻雜區(qū)對應于所述第一摻雜區(qū)及至少一第七摻雜區(qū)相鄰于所述第六摻雜區(qū)且對應于所述第二摻雜區(qū)，且其中所述第四、所述第五及所述第七摻雜區(qū)具有所述第一導電類型，且所述第六摻雜區(qū)且具有所述第二導電類型。