[發明專利]一種用于提供低噪聲帶隙基準電壓源的電路

有效

• 申請號: 201210013734.4
• 申請日: 2012-01-17
• 公開（公告）號: CN103207636B
• 公開（公告）日: 2015-12-02
• 發明（設計）人: 歐陽振華
• 申請（專利權）人: 國民技術股份有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56;G05F1/567
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立

技術領域

本發明涉及帶隙基準電壓源領域，特別涉及一種低噪聲帶隙基準電壓源。

背景技術

射頻RF芯片中需要給射頻RF模塊提供一個低噪聲帶隙基準電壓源，并且不允許各個模塊工作時干擾低噪聲帶隙基準電壓源,傳統的做法是在帶隙基準電壓源的輸出外掛一個大電容。通過大電容對帶隙基準電壓源進行濾波。

然而，采用一般的外掛大電容對帶隙基準電壓源進行濾波存在以下問題：

(1)需要在芯片外增加一個大電容，給整個方案增加了一個電容費用的成本，需要在印刷電路板PCB(Printedcircuitboard)板上增加一個電容的面積。同時外接電容需要芯片多一個芯片引腳，這樣給芯片增加了一根綁定線成本。

(2)由于RF芯片中需要用到低噪聲帶隙基準電壓源的RF模塊很多，但是帶隙基準電壓源只能外掛一個片外電容，所以所有需要用到低噪聲帶隙基準電壓源的RF模塊必須共用一個低噪聲帶隙基準電壓源。

(3)帶隙基準電壓源外掛電容會帶來帶隙基準電壓源啟動時間過長的問題，這會帶來整個系統啟動時間的開銷。

發明內容

本發明實施例提供了一種低噪聲帶隙基準電壓源。

本發明實施例提供了一種用于提供帶隙基準電壓源的電路，包括電流型帶隙基準電壓源、第一電阻、低通濾波器；

所述電流型帶隙基準電壓源用于輸出帶溫度系數的電流；

所述第一電阻一端連接所述電流型帶隙基準電壓源的輸出端，另一端接地，所述第一電阻用于將所述帶溫度系數的電流轉化為零溫度系數的帶隙基準電壓；

所述低通濾波器用于將所述零溫度系數的帶隙基準電壓轉化為低噪聲帶隙基準電壓輸出。

上述的電路還包括，所述低通濾波器包括第一PMOS管、第二PMOS管，第一電容；

所述第一PMOS管源極與所述第一電阻非接地端連接，漏極與所述低通濾波器輸出端連接，襯底接地；

所述第二PMOS管源極與所述第一電阻非接地端連接，漏極與所述低通濾波器輸出端連接，所述第二PMOS管在所述電流型帶隙基準電壓源啟動時開啟，在所述電流型帶隙基準電壓源啟動完畢后關閉；

所述第一電容一端與所述低通濾波器輸出端連接，另一端接地。

上述的電路還包括，快速啟動電路，所述快速啟動電路用于將所述電流型帶隙基準電壓源的外部使能信號轉化為快速啟動信號輸出至所述第二PMOS管的襯底。

上述的電路還包括，所述快速啟動電路包括第一非門、第二非門、第三非門、第四非門、第二電阻、第二電容、或非門；

所述第一非門、第二非門依次連接；

所述第二電阻一端連接所述第二非門輸出端，一端連接所述第三非門輸入端；

所述第二電容一端連接所述第三非門輸入端，一端接地；

所述第三非門、第四非門依次連接；

所述或非門的輸入端分別連接所述第一非門的輸出端、所述第四非門的輸出端，所述或非門輸出所述快速啟動信號。

上述的電路還包括，所述電流型帶隙基準電壓源包括第一三極管(214)，第二三極管(215)，第三電阻(201)，第四電阻(205)，第五電阻(206)，運算放大器(207),第三PMOS管(208),第四PMOS管(209)，第五PMOS管(210),第六PMOS管(211)，第七PMOS管（214），第八PMOS管（215），第一NMOS管，第二NMOS管，至少一個輸出支路；

所述第三PMOS管、第五PMOS管柵極均與所述運算放大器輸出端相連，源極均輸入工作電壓；

所述第四PMOS管源極與所述第三PMOS管漏極相連，柵極與所述第六PMOS管柵極相連，漏極與所述運算放大器負向輸入端相連；

所述第六PMOS管源極與所述第五PMOS管漏極相連，漏極與所述運算放大器正向輸入端相連；

所述第一三極管發射極與所述運算放大器負向輸入端相連，基極、集電極接地；

所述第二三極管發射極通過所述第三電阻與所述運算放大器正向輸入端相連，基極、集電極接地；

所述第一三極管的面積與所述第二三極管的面積比例為1:n，n為正整數；

所述第四電阻一端連接所述運算放大器負向輸入端，另一端接地；

所述第五電阻一端連接所述運算放大器正向輸入端，另一端接地；

所述第七PMOS管柵極連接所述第五PMOS管柵極、所述輸出支路輸入端，源極輸入工作電壓，漏極連接所述第一NMOS管漏極；