[發(fā)明專利]光致細(xì)胞脫附的方法及其所使用的細(xì)胞培養(yǎng)器具

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210013668.0
• 申請日: 2012-01-17
• 公開（公告）號: CN102586169A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 程逵;翁文劍;洪逸
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江大學(xué)
• 主分類號: C12N5/00
• 分類號: C12N5/00;C12N5/077;C12N5/071;C12M3/00
• 代理公司: 杭州天勤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33224
• 代理人: 胡紅娟

1.一種用于體外細(xì)胞培養(yǎng)中光致細(xì)胞脫附的方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)在進(jìn)行體外細(xì)胞培養(yǎng)前，在細(xì)胞培養(yǎng)器皿的細(xì)胞接觸表面上制備光敏半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層作為細(xì)胞培養(yǎng)表面，所述光敏半導(dǎo)體為具有光至憎水-親水轉(zhuǎn)換特性的光敏半導(dǎo)體，所述光敏半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層為光敏半導(dǎo)體薄膜或光敏半導(dǎo)體微納點陣，其中，所述光敏半導(dǎo)體薄膜的晶粒尺寸為2～100nm，厚度為50nm～2000nm，所述光敏半導(dǎo)體微納點陣中的半導(dǎo)體納米點的密度范圍在1.0×10¹⁰～1×10¹²/cm²，點尺寸范圍在10nm～500nm；

(2)在所述細(xì)胞培養(yǎng)器皿的細(xì)胞培養(yǎng)表面上進(jìn)行并完成體外細(xì)胞培養(yǎng)后，通過紫外光或可見光照射處理使生長于所述細(xì)胞培養(yǎng)表面的細(xì)胞從所述細(xì)胞培養(yǎng)器皿脫附。

2.如權(quán)利要求1所述的用于體外細(xì)胞培養(yǎng)中光致細(xì)胞脫附的方法，其特征在于，所述光敏半導(dǎo)體為氧化鈦、氧化鋅、氧化錫、氧化鐵或氧化鋯。

3.如權(quán)利要求1或2所述的用于體外細(xì)胞培養(yǎng)中光致細(xì)胞脫附的方法，其特征在于，所述的紫外光或可見光照射處理的過程為：

將波長為300～400納米的紫外光從細(xì)胞培養(yǎng)器皿底部入射，照射1～40分鐘；

或者，將波長為400～700納米的可見光從細(xì)胞培養(yǎng)器皿的細(xì)胞培養(yǎng)表面或底部入射，照射10～60分鐘。

4.一種用于體外細(xì)胞培養(yǎng)中光致細(xì)胞脫附時所使用的細(xì)胞培養(yǎng)器具，包括：細(xì)胞培養(yǎng)器皿，其特征在于，在所述細(xì)胞培養(yǎng)器皿的細(xì)胞接觸表面上制備有光敏半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層作為細(xì)胞培養(yǎng)表面，所述光敏半導(dǎo)體為具有光至憎水-親水轉(zhuǎn)換特性的光敏半導(dǎo)體，所述光敏半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層為光敏半導(dǎo)體薄膜或光敏半導(dǎo)體微納點陣，其中，所述光敏半導(dǎo)體薄膜的晶粒尺寸為2～100nm，厚度為50nm～2000nm，所述光敏半導(dǎo)體微納點陣中的半導(dǎo)體納米點的密度范圍在1.0×10¹⁰～1×10¹²/cm²，點尺寸范圍在10nm～500nm。

5.如權(quán)利要求4所述的細(xì)胞培養(yǎng)器具，其特征在于，所述光敏半導(dǎo)體為氧化鈦、氧化鋅、氧化錫、氧化鐵或氧化鋯。