[發(fā)明專利]一種光刻膠背面曝光工藝無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210013655.3 | 申請日： | 2012-01-16 |
| 公開（公告）號： | CN102566313A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發(fā)明（設計）人： | 廖廣蘭;譚先華;史鐵林;劉文亮;高陽 | 申請（專利權）人： | 華中科技大學 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 華中科技大學專利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 光刻 背面 曝光 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種光刻膠背面曝光工藝，其特征在于，該方法包括下述步驟：
第1步?濺射鉻掩膜層：以潔凈的透明玻璃基片作為基底，在其正面濺射一層鉻作為掩膜層，掩膜層厚度為200nm-500nm；
第2步?在鉻掩膜層層上均勻涂覆一層光刻膠，然后依次進行曝光、顯影，得到所需光刻膠圖形；
第3步?濕法腐蝕鉻掩膜層，將光刻膠圖形轉移到鉻掩膜層上，得到所需的掩膜層圖形；
第4步?在鉻掩膜層圖形上涂覆光刻膠，光刻膠厚度為5-100um；
第5步?將透明玻璃基片正面朝下，進行曝光；
第6步?將曝光的透明玻璃基片顯影，完畢得到所需的光刻膠結構。
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