[發(fā)明專利]太陽能百葉窗

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210013026.0
• 申請日: 2012-01-16
• 公開（公告）號: CN102536085A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 成立;吳巍煒;秦勇;張連珠
• 申請（專利權(quán)）人: 蘭州雙龍?zhí)柲芸萍加邢薰?/a>
• 主分類號: E06B9/28
• 分類號: E06B9/28;E06B9/38;E06B9/386;H01L31/0236
• 代理公司: 蘭州振華專利代理有限責(zé)任公司 62102
• 代理人: 張晉

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種太陽能百葉窗的葉片，這種葉片的制備方法，以及用這種葉片制備的百葉窗。本發(fā)明的葉片上設(shè)置有光-電能量轉(zhuǎn)化器件和連接導(dǎo)線。?

背景技術(shù)

隨著人類科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，對能源的需求不斷增加，對新能源的開發(fā)受到廣泛的關(guān)注。太陽能作為一種新型的清潔能源，具有分布廣泛，對環(huán)境無害，可以長久使用等特點(diǎn)。因此，充分利用太陽能成為解決世界能源問題的重要途徑。百葉窗作為一種遮光裝置與太陽能電池結(jié)合，即能利用照射到百葉窗上的太陽能，又有不影響百葉窗的美觀以及遮光的功能。?

在中國專利200720170836中涉及了一種太陽能百葉窗。其由一組鋁基板和安裝在鋁基板上的太陽能電池組組成。專利200910113368給出了一種自動跟蹤太陽光移動軌跡的太陽能百葉窗。專利201010039683給出了一種帶有能量存儲裝置和LED發(fā)光體的太陽能百葉窗，實(shí)現(xiàn)了對太陽能的存儲并兼具照明功能。?

現(xiàn)有的硅太陽能電池有一個(gè)缺點(diǎn)，即當(dāng)太陽光照射到電池表面時(shí)會發(fā)生反射，對于平面的硅太陽能電池，其反射率約為34％。如果能利用這部分能量，就可以大幅提高太陽能百葉窗的效率。?

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種可克服現(xiàn)有技術(shù)不足，能降低太陽光照射到電池表面時(shí)的反射，并且能充分利用太陽光照射到電池表面時(shí)的反射光能量的百葉窗葉片，同時(shí)提供這種葉片的制備方法和用這種葉片制備的百葉窗。?

本發(fā)明葉片的上下兩個(gè)表面上均設(shè)置可進(jìn)行光-電能量轉(zhuǎn)化的器件。用這種百葉窗葉片制成的百葉窗在使用中位于下面一層的葉片下面反射的太陽光可被反射到其上一層葉片的背面并轉(zhuǎn)化為電能，這樣就可以充分利用太陽能，提高太陽能的轉(zhuǎn)化率。?

本發(fā)明的葉片可以為硅片，特別是單晶硅片。?

本發(fā)明的硅片的一個(gè)面上的光-電能量轉(zhuǎn)化的器件的表面可以帶有有陷光結(jié)構(gòu)，這里所述的“一個(gè)面”是指葉片的背面。?

本發(fā)明的太陽能百葉窗的葉片也可是只在葉片的正面設(shè)置有可進(jìn)行光-電能量轉(zhuǎn)化的器件，而在光-電能量轉(zhuǎn)化的器件的表面帶有陷光結(jié)構(gòu)。?

本發(fā)明所述的表面帶有陷光結(jié)構(gòu)的光電轉(zhuǎn)化器件的制備方法是將經(jīng)清洗處理后的硅片用氫氟酸浸泡清洗再洗去表面的氧化層，再用無電沉積或磁控濺射的方式通過控制沉積時(shí)間或磁濺射時(shí)間方式在清潔的硅片表面自然沉積一層不連續(xù)的銀膜，再用質(zhì)量分?jǐn)?shù)約為10％的氫氟酸和0.6％的雙氧水的溶液刻蝕硅片，在硅片表面形成硅納米線陣列，將經(jīng)前述處理后的硅片用質(zhì)量分?jǐn)?shù)高于40％的濃硝酸浸泡處理去除殘余的銀，再進(jìn)行擴(kuò)散處理，擴(kuò)散時(shí)：當(dāng)硅片為p型材料時(shí)用磷烷為擴(kuò)散源，當(dāng)硅片為n型材料時(shí)以硼烷為擴(kuò)散源進(jìn)行高溫?cái)U(kuò)散處理，使表面帶有納米線陣列的硅片上形成摻雜層，再用涂膠和光刻的方法在硅片表面形成第一個(gè)梳齒狀區(qū)域，使用SF₆進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕去除梳齒狀區(qū)域內(nèi)的摻雜層，露出內(nèi)部本征硅片材料，然后再在硅片上用涂膠和光刻的方法形成第二個(gè)梳齒狀區(qū)域，并使第二個(gè)梳齒狀區(qū)域的梳齒與第一個(gè)梳齒交錯(cuò)布置，呈齒插狀結(jié)構(gòu)，最后在兩個(gè)梳齒狀區(qū)域內(nèi)分別通過沉積或?yàn)R射方法制出電極，做成附圖2中所示的結(jié)構(gòu)。?

或者，將硅片首先使用丙酮，異丙醇，去離子水各超聲清洗，然后放入體積比3∶1的濃硫酸和體積濃度為35％的雙氧水的混合溶液中處理去除硅片表面的污染物，再用氫氟酸浸泡處理后用大量去離子水沖洗以去除表面氧化層，再將此硅片浸泡如4.6M的氫氟酸與0.02M的硝酸銀的水溶液中浸泡處理，然后用濃硝酸浸泡處理去除殘余的銀，再進(jìn)行擴(kuò)散處理，擴(kuò)散時(shí)：當(dāng)硅片為p型材料時(shí)用磷烷為擴(kuò)散源，當(dāng)硅片為n型材料時(shí)以硼烷為擴(kuò)散源進(jìn)行高溫?cái)U(kuò)散處理，使表面帶有納米線陣列的硅片上形成摻雜層，再用涂膠和光刻的方法在硅片表面形成第一個(gè)梳齒狀區(qū)域，使用SF₆進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕去除梳齒狀區(qū)域內(nèi)的摻雜層，露出內(nèi)部本征硅片材料，然后再在硅片上用涂膠和光刻的方法形成第二個(gè)梳齒狀區(qū)域，并使第二個(gè)梳齒狀區(qū)域的梳齒與第一個(gè)梳齒交錯(cuò)布置，呈齒插狀結(jié)構(gòu)，最后在兩個(gè)梳齒狀區(qū)域內(nèi)分別通過沉積或?yàn)R射方法制出電極，形成附圖2中所示的結(jié)構(gòu)。?