[發明專利]太陽能電池及其制造方法

有效

• 申請號: 201210012392.4
• 申請日: 2012-01-16
• 公開（公告）號: CN102593240A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 高志勛;金振鎬;安俊勇;李大龍
• 申請（專利權）人: LG電子株式會社
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;呂俊剛

技術領域

本發明的實施方式涉及太陽能電池及其制造方法。

背景技術

近來，由于預期現有能源(諸如石油和煤)會被耗盡，所以對于代替現有能源的另選能源的興趣正在增加。在這些另選能源當中，用于從太陽能產生電能的太陽能電池尤其受到關注。

太陽能電池通常包括具有不同導電類型(例如，p型和n型)并形成p-n結的半導體部件以及分別連接到不同導電類型的半導體部件的電極。

當光入射在太陽能電池上時，在半導體部件中產生電子-空穴對。電子和空穴在p-n結的影響下分別向n型半導體部件和p型半導體部件移動。電子和空穴分別由連接到n型半導體部件和p型半導體部件的電極來收集。利用電線將這些電極彼此連接，由此獲得電力。

發明內容

在一個方面中，提供了一種用于制造太陽能電池的方法，該方法包括以下步驟：通過使用離子注入法來在第一導電類型的基板的第一表面處形成與所述第一導電類型相反的第二導電類型的發射區；在被定位為與所述基板的所述第一表面相反的第二表面上形成鈍化層；以及形成第一電極和第二電極，所述第一電極位于所述基板的所述第一表面上并連接到所述發射區，而所述第二電極位于所述基板的所述第二表面上并通過所述鈍化層選擇性地連接到所述基板。

所述形成所述發射區的步驟可以包括以下步驟：使用所述離子注入法將所述第二導電類型的雜質注入到所述基板的所述第一表面中，以在所述基板的所述第一表面處形成雜質區；以及在氧氣環境中對具有所述雜質區的所述基板進行熱處理，以將所述雜質區轉變為所述發射區并在所述基板的所述第一表面和所述第二表面上形成第一熱氧化膜和第二熱氧化膜。

可以在大致700℃至900℃的溫度執行所述熱處理。

所述方法還可以包括以下步驟：去除所述第一熱氧化膜和所述第二熱氧化膜。

所述鈍化層可以形成在位于所述基板的所述第二表面上的所述第二熱氧化膜上。

所述方法還可以包括以下步驟：在位于所述基板的所述第一表面上的所述第一熱氧化膜上形成防反射層。

所述第一電極可以通過所述防反射層和所述第一熱氧化膜連接到所述基板。

所述防反射層可以由氮化硅形成。

所述第一熱氧化膜和所述第二熱氧化膜中的每一個可以具有大致15nm至30nm的厚度。

所述方法還可以包括以下步驟：在所述發射區上形成防反射層。

所述第一電極可以通過所述防反射層連接到所述發射區。

所述鈍化層可以由氮化硅形成。

所述形成所述鈍化層的步驟可以包括以下步驟：使用氧化硅形成第一鈍化層；以及使用氮化硅形成第二鈍化層。

所述形成所述鈍化層的步驟可以包括以下步驟：使用氧化鋁形成第一鈍化層；以及使用氮化硅形成第二鈍化層。

所述第一導電類型可以是p型，而所述第二導電類型可以是n型。另選地，所述第一導電類型可以是n型，而所述第二導電類型可以是p型。

所述方法還可以包括以下步驟：在形成所述發射區之前，在所述基板的所述第一表面和所述第二表面中的每一個上形成紋理表面。

所述方法還可以包括以下步驟：對形成在所述基板的所述第二表面上的所述紋理表面進行拋光(polish)，以形成平坦表面。

在另一個方面中，提供了一種太陽能電池，該太陽能電池包括：第一導電類型的基板，該基板包括被定位為彼此相反的第一表面和第二表面；與所述第一導電類型相反的第二導電類型的發射區，使用離子注入法在所述基板的所述第一表面處形成該發射區；第一電極，該第一電極位于所述基板的所述第一表面上并電連接到所述發射區；鈍化層，該鈍化層位于所述基板的所述第二表面上；以及第二電極，該第二電極位于所述基板的所述第二表面上并通過所述鈍化層選擇性地連接到所述基板。

所述發射區可以具有大致60Ω/sq.至120Ω/sq.的薄層電阻。

所述太陽能電池還可以包括位于所述發射區上的第一熱氧化膜和位于所述基板的所述第二表面上的第二熱氧化膜。所述鈍化層可以位于所述第二熱氧化膜上。所述第一電極可以通過所述第一熱氧化膜連接到所述發射區，并且所述第二電極可以通過所述鈍化層和所述第二熱氧化膜連接到所述基板。

所述第一熱氧化膜和所述第二熱氧化膜中的每一個可以具有大致15nm至30nm的厚度。

所述鈍化層可以由氮化硅形成。

所述鈍化層可以具有大致40nm至80nm的厚度。

所述太陽能電池還可以包括位于所述第一熱氧化膜上的防反射層。所述防反射層可以由氮化硅形成。