[發明專利]充電控制電路和方法、耗材芯片及成像系統

有效

• 申請號: 201210011987.8
• 申請日: 2012-01-13
• 公開（公告）號: CN102545334A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 丁勵
• 申請（專利權）人: 珠海艾派克微電子有限公司
• 主分類號: H02J7/00
• 分類號: H02J7/00;G03G15/08
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 程寶妹

技術領域

本發明涉及成像裝置技術，尤其涉及一種充電控制電路和方法、耗材芯片及成像系統。

背景技術

鐵電隨機存儲器(Ferroelectric?Random?Access?Memory，簡稱FRAM)是一種常用的高速非易失性存儲器。成像裝置可對集成有FRAM的耗材芯片在線進行高速讀寫，實現數據的非易失存儲。但由于FRAM價格較高，生產線有限等因素，限制了FRAM在成像裝置耗材等領域的推廣應用。

為以較低成本實現數據的非易失性存儲，現有技術在成像裝置中，采用SRAM、價格較低的非易失性存儲器(如電可擦可編程只讀存儲器(Electrically?Erasable?Programmable?Read-OnlyMemory，簡稱EEPROM)或閃存(FLASH)等)以及包括電容的充電電路相互配合的技術。該現有技術為每個耗材芯片增設EEPROM或FLASH以及充電電路；當成像裝置上電并對一耗材芯片的SRAM進行讀寫控制的同時，為各耗材芯片的充電電路的電容充電；當成像裝置掉電時，由該耗材芯片對應的充電電路的電容為該耗材芯片供電，該耗材芯片將其SRAM中存儲數據轉存到EEPROM或FLASH中，由此實現數據的非易失存儲。

成像裝置與多個耗材芯片之間采用共總線方式通信。上述現有技術在通信過程中，成像裝置分時對多個耗材芯片進行讀寫控制(即成像裝置單次僅對一耗材芯片進行讀寫控制)，但需同時為各耗材芯片對應的充電電路的電容充電，由此增加了成像裝置的電源壓降和耗電量，一方面導致沒有和成像裝置通信的耗材芯片對應的電容已充電能的浪費，另一方面導致和成像裝置通信的耗材芯片對應的電容充電電能不足，并且如果成像裝置提供電流過大會導致電源壓降過大，影響成像裝置與其當前需進行讀寫控制的耗材芯片之間的正常通信。

發明內容

本發明提供一種充電控制電路和方法、耗材芯片及成像系統，用于提高成像裝置充電電源的電能利用率。

本發明第一方面提供一種充電控制電路，包括：

依次連接的獲取模塊、比較模塊、控制模塊和蓄電單元；

所述蓄電單元用于為與其連接的耗材芯片提供備用電源；

所述獲取模塊用于獲取成像裝置經總線發送的控制指令；所述控制指令包括第一標識信息；所述第一標識信息與所述控制指令指向的目標耗材芯片對應；

所述比較模塊用于比較所述第一標識信息與預存的第二標識信息；所述第二標識信息與所述蓄電單元連接的耗材芯片對應；

所述控制模塊用于根據比較結果對所述蓄電單元進行充電控制。

本發明另一方面提供了一種耗材芯片，包括耗材芯片主體和上述充電控制電路；所述充電控制電路與所述耗材芯片主體連接。

本發明另一方面還提供了一種成像系統，包括成像裝置和至少二個上述耗材芯片，各所述耗材芯片與所述成像裝置基于總線通信。

本發明另一方面還提供了一種充電控制方法，包括：

獲取成像裝置經總線發送的控制指令；所述控制指令包括第一標識信息；所述第一標識信息與所述控制指令指向的目標耗材芯片對應；

比較所述第一標識信息與預存的第二標識信息；

根據比較結果對所述蓄電單元進行充電控制。

本發明提供的充電控制電路和方法、耗材芯片及成像系統中，充電控制電路在獲取成像裝置經總線發出的控制指令之后，將該控制指令包括的第一標識信息與自身所在的耗材芯片的第二標識信息，根據比較結果對蓄電單元進行充電控制，提高了充電控制的針對性，由此提高了成像裝置充電電源的電能利用率。

附圖說明

圖1a為本發明提供的一種成像系統的結構示意圖；

圖1b為本發明提供的成像裝置經總線發送的控制指令示例；

圖2為本發明實施例一提供的充電控制電路的結構示意圖；

圖3為圖2所示的充電控制電路的充電控制方法的流程圖；

圖4為本發明實施例二提供的充電控制電路的結構示意圖；

圖5為圖4所示的充電控制電路的充電控制方法的流程圖；

圖6為本發明實施例三提供的充電控制電流的結構示意圖；

圖7為圖6所示的充電控制電路的充電控制方法的流程圖；

圖8為圖7所示充電控制方法下各耗材芯片的充電電流變化示例；

圖9為本發明實施例四提供的充電控制方法的流程圖；

圖10為本發明實施例五提供的充電控制電流的結構示意圖；

圖11為圖10所示的充電控制電路的充電控制方法的流程圖；