[發明專利]一種槽型混合表面等離子激元光波導

無效

• 申請號: 201210011869.7
• 申請日: 2012-01-16
• 公開（公告）號: CN102565934A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 鄭錚;卞宇生;趙欣;劉磊;蘇亞林;劉建勝
• 申請（專利權）人: 北京航空航天大學
• 主分類號: G02B6/122
• 分類號: G02B6/122
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.本發明提供了一種具有較強模場限制能力的槽型混合表面等離子激元光波導，其橫截面從下到上依次為金屬基底、低折射率介質層、高折射率介質區和包層；金屬基底在與低折射率介質層相接的區域的外輪廓呈“V”字形，且金屬基底“V”字形區域的高度范圍為所傳輸光信號的波長的0.12-0.65倍；低折射率介質層與金屬基底相接的區域的外輪廓以及低折射率介質層與高折射率介質區相接的區域的外輪廓均呈“V”字形，低折射率介質層的厚度均勻，其厚度范圍為所傳輸光信號的波長的0.06-0.4倍，金屬基底“V”字形區域中心的外頂角和高折射率介質區底部的內頂角相等，其角度范圍大于0度且小于180度；高折射率介質區的材料折射率高于低折射率介質層以及包層的材料折射率，低折射率介質層和包層的材料可為相同材料或不同材料，低折射率介質層和包層的材料折射率的最大值與高折射率介質區的材料折射率的比值小于0.75。

2.根據權利要求1所述的光波導結構，其特征在于，所述結構中金屬基底“V”字形區域的中心和高折射率介質區的底部均有倒角，且金屬基底“V”字形區域中心的倒角大于高折射率介質區底部的倒角，兩倒角曲率半徑之差等于低折射率介質層的厚度。

3.根據權利要求1所述的光波導結構，其特征在于，所述結構中金屬基底的材料為能產生表面等離子激元的金、銀、鋁、銅、鈦、鎳、鉻、鈀中的任何一種、或是各自的合金、或是上述金屬構成的復合材料。