[發(fā)明專利]晶棒表面之調(diào)質(zhì)方法及其晶棒

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210011835.8
• 申請(qǐng)日: 2012-01-05
• 公開（公告）號(hào): CN103194802A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳炤彰;鄭世隆;劉建億;陳鈺麟;黃國(guó)維;鄭守智
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆山中辰矽晶有限公司
• 主分類號(hào): C30B33/02
• 分類號(hào): C30B33/02
• 代理公司: 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

1.一種晶棒表面之調(diào)質(zhì)方法，包含以下步驟：

提供一晶棒，并以一蓋體罩蓋該晶棒；

利用一加熱單元將該晶棒之至少一表面加熱至一預(yù)定溫度并持溫一段時(shí)間，同時(shí)利用一冷卻單元針對(duì)不需改質(zhì)的該晶棒的其它表面進(jìn)行控溫；以及

進(jìn)行一冷卻步驟，以將該晶棒冷卻；

其中，該蓋體至少具有一部分的透明區(qū)域，使該加熱單元的熱輻射透過該透明區(qū)域而對(duì)該晶棒進(jìn)行加熱。

2.如權(quán)利要求1所述之晶棒表面之調(diào)質(zhì)方法，其中在提供一晶棒的步驟中，系提供一種全透明的罩蓋結(jié)構(gòu)罩蓋于所述之晶棒，該罩蓋結(jié)構(gòu)具有一個(gè)頂面及至少一個(gè)連接該頂面之側(cè)面。

3.如權(quán)利要求2所述之晶棒表面之調(diào)質(zhì)方法，其中在提供一晶棒的步驟之后，更包括提供一保護(hù)氣體輸送單元，以注入保護(hù)氣體于該蓋體所界定之腔體中。

4.如權(quán)利要求3所述之晶棒表面之調(diào)質(zhì)方法，其中在提供一保護(hù)氣體輸送單元之步驟中，該蓋體具有一進(jìn)氣口與一出氣口，該保護(hù)氣體輸送單元系連接于該進(jìn)氣口與該出氣口以注入保護(hù)氣體于該蓋體所界定之腔體中。

5.如權(quán)利要求2所述之晶棒表面之調(diào)質(zhì)方法，其中在利用一加熱單元加熱該晶棒之步驟中，該加熱單元系設(shè)置于該頂面上，以將該加熱單元的熱輻射透過該頂面而對(duì)該晶棒進(jìn)行加熱。

6.如權(quán)利要求5所述之晶棒表面之調(diào)質(zhì)方法，其中在利用一加熱單元加熱該晶棒之步驟中，該加熱單元系包括多個(gè)金屬板件及多個(gè)固定于該些金屬板件上之快速加熱組件，該些快速加熱組件針對(duì)該晶棒之加熱速率為50℃/秒，加熱溫度介于300℃至900℃之間，并維持10秒到150秒之間。

7.如權(quán)利要求6所述之晶棒表面之調(diào)質(zhì)方法，其中在利用一加熱單元加熱該晶棒之步驟中，更包括提供一耦接于該加熱單元之控制單元，該控制單元具有一鄰近地設(shè)置于該些快速加熱組件之傳感器，該傳感器監(jiān)測(cè)該些快速加熱組件的溫度，使控制單元控制該加熱單元的加熱條件。

8.如權(quán)利要求2所述之晶棒表面之調(diào)質(zhì)方法，其中在該冷卻步驟中，系利用該冷卻單元針對(duì)該加熱單元與該晶棒進(jìn)行冷卻。

9.如權(quán)利要求8所述之晶棒表面之調(diào)質(zhì)方法，其中該晶棒之冷卻速率為1℃/秒至5℃/秒。

10.一種經(jīng)過如權(quán)利要求1至9的其中之一所述之晶棒表面之調(diào)質(zhì)方法所調(diào)質(zhì)之晶棒，該晶棒之表面硬度的軟化率介于2％至8％。