[發明專利]一種大規模紅外焦平面探測器銦柱生長方法

無效

• 申請號: 201210011829.2
• 申請日: 2012-01-16
• 公開（公告）號: CN102544217A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 白謝輝;郭喜;支淑英
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十一研究所
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 工業和信息化部電子專利中心 11010
• 代理人: 梁軍

1.一種大規模紅外焦平面探測器銦柱生長方法，其特征在于，包括：

步驟1，在紅外焦平面探測器芯片上沉積光刻膠；

步驟2，對沉積的光刻膠進行全面曝光處理；

步驟3，在曝光后的光刻膠上繼續沉積光刻膠；

步驟4，利用光刻機對沉積的光刻膠進行光刻處理；

步驟5，在光刻處理后的芯片上沉積銦后剝離光刻膠，得到生長的銦柱。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟2中對沉積的光刻膠進行全面曝光處理的方式包括：

將沉積光刻膠的紅外焦平面探測器芯片放置在光刻機上，利用光刻機在不安裝光刻板的條件下對沉積的光刻膠進行曝光處理。

3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步驟2中，所述曝光處理的曝光時間為15～30s。

4.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步驟1和步驟3中沉積的光刻膠的厚度為10～20微米。

5.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步驟1和步驟3中，采用勻膠機沉積所述光刻膠。

6.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步驟5中，采用熱蒸發的方式沉積銦。

7.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步驟5中，剝離光刻膠的方式包括：將沉積銦后的芯片浸泡在丙酮溶液中，并在浸泡特定時間后，進行超聲處理。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述浸泡特定時間為1～2小時。