[發(fā)明專(zhuān)利]分布式金屬布線有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210011810.8 | 申請(qǐng)日: | 2012-01-13 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102623436A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-08-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蕭有呈;陳炎輝;陳蓉萱;周紹禹;田麗鈞;廖宏仁 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L23/538 | 分類(lèi)號(hào): | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京德恒律師事務(wù)所 11306 | 代理人: | 陸鑫;房嶺梅 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 分布式 金屬 布線 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件,包括:
有源區(qū)域,位于基板中;
第一金屬層,與所述基板相接觸,所述第一金屬層包括至少一條第一導(dǎo)線;以及
第二金屬層,位于所述第一金屬層上方,所述第二金屬層具有第一并聯(lián)線的分布式布局,其中,所述第一并聯(lián)線中的至少兩條單獨(dú)的線與所述第一導(dǎo)線相接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,進(jìn)一步包括:第三金屬層,位于所述第二金屬層上方,并且與所述第二金屬層相接觸,所述第三金屬層包括第二多條并聯(lián)線,其中,所述第二多條并聯(lián)線中的至少一條與所述第一并聯(lián)線中的兩條單獨(dú)的線相接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件,其中,所述第三金屬層中的所述第二多條并聯(lián)線中的每一條的寬度都相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,所述第一并聯(lián)線包括至少一條第一并聯(lián)線、一條第二并聯(lián)線、和一條第三并聯(lián)線,所述一條第三并聯(lián)線位于所述一條第一并聯(lián)線和所述一條第二并聯(lián)線之間,其中,所述一條第三并連線所連接到的源與所述一條第一并聯(lián)線或者所述一條第二并聯(lián)線所連接到的源不同。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件,其中,所述一條第一并聯(lián)線和所述一條第二并聯(lián)線是Vss線,所述一條第三并聯(lián)線是信號(hào)線。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件,其中,所述第一并聯(lián)線進(jìn)一步包括:一條第四并聯(lián)線,所述一條第四并聯(lián)線與所述一條第二并聯(lián)線分別位于所述一條第三并聯(lián)線的兩側(cè),所述一條第四并聯(lián)線所連接到的源與所述一條第一并聯(lián)線、所述一條第二并聯(lián)線、和所述一條第三并聯(lián)線所連接到的源不同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,所述第一并聯(lián)線的分布式布局的間距相同。
8.一種半導(dǎo)體器件,包括:
基板的有源區(qū)域;
第一金屬層,位于所述有源區(qū)域上方,并且與所述有源區(qū)域相接觸;以及
第二金屬層,位于所述第一金屬層上方,所述第二金屬層包括:第一導(dǎo)線,連接至第一源;第二導(dǎo)線,連接至與所述第一源不同的第二源;以及第三導(dǎo)線,連接到所述第一源,其中,所述第一導(dǎo)線、所述第二導(dǎo)線以及所述第三導(dǎo)線并聯(lián)連接,并且其中,所述第二導(dǎo)線位于所述第一導(dǎo)線和所述第三導(dǎo)線之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件,其中,所述第一導(dǎo)線和所述第三導(dǎo)線都電連接到所述有源區(qū)域的第一區(qū)域。
10.一種制造半導(dǎo)體器件的方法,所述方法包括:
在基板的有源區(qū)域上形成第一金屬層,所述第一金屬層與所述基板的有源區(qū)域相接觸,所述第一金屬層包括連續(xù)的第一導(dǎo)電區(qū)域;
形成第一接觸插頭和第二接觸插頭,與所述第一導(dǎo)電區(qū)域相接觸;以及
在所述第一接觸插頭和所述第二接觸插頭上方形成第二金屬層,所述第二金屬層包括:第一組并聯(lián)線,連接到第一源;以及第二組并聯(lián)線,連接到第二源,其中,所述第一組并聯(lián)線和所述第二組并聯(lián)線相互交錯(cuò),并且其中,所述第一組并聯(lián)線中的第一并聯(lián)線連接到所述第一接觸插頭,所述第一組并聯(lián)線中的第二并聯(lián)線連接到所述第二接觸插頭。
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