[發明專利]分布式金屬布線

有效

• 申請號: 201210011810.8
• 申請日: 2012-01-13
• 公開（公告）號: CN102623436A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 蕭有呈;陳炎輝;陳蓉萱;周紹禹;田麗鈞;廖宏仁
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.一種半導體器件，包括：

有源區域，位于基板中；

第一金屬層，與所述基板相接觸，所述第一金屬層包括至少一條第一導線；以及

第二金屬層，位于所述第一金屬層上方，所述第二金屬層具有第一并聯線的分布式布局，其中，所述第一并聯線中的至少兩條單獨的線與所述第一導線相接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括：第三金屬層，位于所述第二金屬層上方，并且與所述第二金屬層相接觸，所述第三金屬層包括第二多條并聯線，其中，所述第二多條并聯線中的至少一條與所述第一并聯線中的兩條單獨的線相接觸。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述第三金屬層中的所述第二多條并聯線中的每一條的寬度都相同。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一并聯線包括至少一條第一并聯線、一條第二并聯線、和一條第三并聯線，所述一條第三并聯線位于所述一條第一并聯線和所述一條第二并聯線之間，其中，所述一條第三并連線所連接到的源與所述一條第一并聯線或者所述一條第二并聯線所連接到的源不同。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述一條第一并聯線和所述一條第二并聯線是Vss線，所述一條第三并聯線是信號線。

6.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述第一并聯線進一步包括：一條第四并聯線，所述一條第四并聯線與所述一條第二并聯線分別位于所述一條第三并聯線的兩側，所述一條第四并聯線所連接到的源與所述一條第一并聯線、所述一條第二并聯線、和所述一條第三并聯線所連接到的源不同。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一并聯線的分布式布局的間距相同。

8.一種半導體器件，包括：

基板的有源區域；

第一金屬層，位于所述有源區域上方，并且與所述有源區域相接觸；以及

第二金屬層，位于所述第一金屬層上方，所述第二金屬層包括：第一導線，連接至第一源；第二導線，連接至與所述第一源不同的第二源；以及第三導線，連接到所述第一源，其中，所述第一導線、所述第二導線以及所述第三導線并聯連接，并且其中，所述第二導線位于所述第一導線和所述第三導線之間。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，所述第一導線和所述第三導線都電連接到所述有源區域的第一區域。

10.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在基板的有源區域上形成第一金屬層，所述第一金屬層與所述基板的有源區域相接觸，所述第一金屬層包括連續的第一導電區域；

形成第一接觸插頭和第二接觸插頭，與所述第一導電區域相接觸；以及

在所述第一接觸插頭和所述第二接觸插頭上方形成第二金屬層，所述第二金屬層包括：第一組并聯線，連接到第一源；以及第二組并聯線，連接到第二源，其中，所述第一組并聯線和所述第二組并聯線相互交錯，并且其中，所述第一組并聯線中的第一并聯線連接到所述第一接觸插頭，所述第一組并聯線中的第二并聯線連接到所述第二接觸插頭。