[發明專利]薄膜太陽能電池及其制造方法

無效

• 申請號: 201210011805.7
• 申請日: 2012-01-04
• 公開（公告）號: CN103151396A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 李佳霖;畢建中
• 申請（專利權）人: 聯相光電股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/077;H01L31/20
• 代理公司: 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249
• 代理人: 張靜潔;徐雯瓊

1.一種薄膜太陽能電池，其特征在于，包含：

一基板；以及

一半導體層，包含：

一P型晶硅層，位于所述基板上；

一第一I型晶硅層，位于所述P型晶硅層上；

一第一N型晶硅層，位于所述第一I型晶硅層上；

一第二I型晶硅層，位于所述第一N型晶硅層上；以及

一第二N型晶硅層，位于所述第二I型晶硅層上；

其中，所述第二I型晶硅層的厚度小于所述第一I型晶硅層厚度的20％。

2.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述基板為玻璃。

3.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，更包含一非晶硅層，位于所述基板與所述P型晶硅層間。

4.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，更包含一氧化鋅薄膜層，位于所述第二N型晶硅層上。

5.如權利要求4所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，更包含一電極層，位于所述氧化鋅薄膜層上。

6.如權利要求5所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述電極層由具有導電的金屬構成。

7.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述第一I型晶硅層、所述第二I型晶硅層、所述第一N型晶硅層及所述第二N型晶硅層的構成材料包含一非晶硅及一微晶硅。

8.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述第一N型晶硅層與所述第二N型晶硅層的總成厚度小于所述第一I型晶硅層厚度的10％。

9.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述第一N型晶硅層與所述第二N型晶硅層的總成厚度小于200埃。

10.一種薄膜太陽能電池，其特征在于，包含：

一基板；以及

一半導體層，包含：

一P型晶硅層，位于所述基板上；

一第一I型晶硅層，位于所述P型晶硅層上；

一第一N型晶硅層，位于所述第一I型晶硅層上；

一第二I型晶硅層，位于所述第一N型晶硅層上；以及

一第二N型晶硅層，位于所述第二I型晶硅層上；

其中，所述第一I型晶硅層的厚度小于所述第二I型晶硅層厚度的20％。

11.如權利要求10所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述基板為玻璃。

12.如權利要求10所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，更包含一非晶硅層，位于所述基板與所述P型晶硅層間。

13.如權利要求10所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，更包含一氧化鋅薄膜層，位于所述第二N型晶硅層上。

14.如權利要求13所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，更包含一電極層，位于所述氧化鋅薄膜層上。

15.如權利要求14所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述電極層由具有導電的金屬構成。

16.如權利要求10所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述第一I型晶硅層、所述第二I型晶硅層、所述第一N型晶硅層及所述第二N型晶硅層的構成材料包含一非晶硅及一微晶硅。

17.如權利要求10所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述第一N型晶硅層與所述第二N型晶硅層的總成厚度小于所述第二I型晶硅層厚度的10％。

18.如權利要求10所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述第一N型晶硅層與所述第二N型晶硅層的總成厚度小于200埃。

19.一種薄膜太陽能電池的制造方法，其特征在于，包含下列步驟：

提供一基板；

形成一P型晶硅層設在所述基板上；

形成一第一I型晶硅層設在所述P型晶硅層上；

形成一第一N型晶硅層設在所述第一I型晶硅層上；

形成一第二I型晶硅層設在所述第一N型晶硅層上；以及

形成一第二N型晶硅層設在所述第二I型晶硅層之上。

20.如權利要求19所述的薄膜太陽能電池的制造方法，其特征在于，所述第二I型晶硅層的厚度小于所述第一I型晶硅層厚度的20％。