[發(fā)明專利]磁阻隨機存取存儲器(MRAM)器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210011659.8
• 申請日: 2012-01-12
• 公開（公告）號: CN102956815A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發(fā)明（設計）人: 唐邦泰;蔡正原
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L43/12
• 分類號: H01L43/12;H01L43/08
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.一種方法，包括：

圖案化多個磁隧道結(MTJ)層以形成MTJ單元；

在所述MTJ單元的頂面上方及其側壁上形成介電保護層；

實施處理以將所述介電保護層轉變成處理過的介電保護層，其中，所述處理包括含氮氣的氣體；以及

在所述處理過的介電保護層上方形成介電層。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述介電保護層是氮化硅。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述處理是采用包含N₂的氣體實施的等離子處理。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述含氮氣的氣體不包含氧氣或氫氣。

5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，通過游離基噴淋化學汽相沉積(RSCVD)，采用小于或者等于約的沉積速率形成所述介電保護層。

6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，在范圍處于約200℃至約300℃之間的溫度下形成所述介電保護層。

7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，在游離基噴淋化學汽相沉積(RSCVD)裝置中實施形成介電保護層的步驟和實施所述處理的步驟，并且在兩個步驟之間不存在真空破壞。

8.根據(jù)權利要求1所述的方法，進一步包括：

在所述MTJ單元上方形成頂部電極層；

圖案化所述頂部電極層以形成頂部電極，其中，使用相同的掩模圖案化所述頂部電極層和所述MTJ層，并且其中，所述頂部電極位于所述處理過的介電保護層下方；以及

蝕刻所述介電層以及所述處理過的介電保護層來暴露所述頂部電極。

9.一種用于形成磁矩隨機存取存儲器(MRAM)器件的方法，包括：

提供具有多個磁隧道結(MTJ)層的襯底；

圖案化所述多個磁隧道結(MTJ)層以形成MTJ單元；

在所述MTJ單元的頂面上方及其側壁上形成氮化硅層，其中，所述氮化硅層的密度大于約2.4g/cm³；以及

采用包含N₂的氣體對所述氮化硅層實施等離子處理。

10.一種器件，包括：

磁隧道結(MTJ)單元；

介電保護層，與所述MTJ單元的側壁物理接觸，其中，所述介電保護層的密度大于約2.4g/cm³；以及

介電層，位于所述介電保護層的頂面和側壁上方，并接觸所述介電保護層的頂面和側壁。