[發明專利]一種基于摻硼金剛石薄膜的抗壞血酸氧化酶傳感器電極

無效

• 申請號: 201210011575.4
• 申請日: 2012-01-16
• 公開（公告）號: CN102590306A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 朱寧;申風婷;姜嘯宇;曲長慶;張輝;戴瑋;張聰聰;尹振超
• 申請（專利權）人: 天津理工大學
• 主分類號: G01N27/327
• 分類號: G01N27/327
• 代理公司: 天津佳盟知識產權代理有限公司 12002
• 代理人: 侯力

1.一種基于摻硼金剛石薄膜的抗壞血酸氧化酶傳感器電極，其特征在于：由硼摻雜金剛石薄膜、氨基單分子層和酶膜層構成。

2.一種如權利要求1所述基于摻硼金剛石薄膜的抗壞血酸氧化酶傳感器電極的制備方法，其特征在于步驟如下：

1)將鉭片襯底表面進行預處理；

2)在預處理后的鉭片襯底表面利用熱絲CVD設備沉積摻硼金剛石薄膜；

3)利用光化學反應對摻硼金剛石薄膜進行氨基化修飾，制得氨基化的摻硼金剛石薄膜；

4)采用化學交聯法在氨基化修飾的摻硼金剛石薄膜表面固定抗壞血酸氧化酶，即可制得基于摻硼金剛石薄膜的抗壞血酸氧化酶傳感器電極。

3.根據權利要求2所述基于摻硼金剛石薄膜的抗壞血酸氧化酶傳感器電極的制備方法，其特征在于，所述鉭片襯底表面預處理的方法是：先將鉭片襯底機械拋光以去除表面的氧化層和污染物；然后進行金剛砂的機械研磨使鉭片表面產生劃傷和缺陷；最后進行表面超聲處理。

4.根據權利要求2所述基于摻硼金剛石薄膜的抗壞血酸氧化酶傳感器電極的制備方法，其特征在于：所述利用熱絲CVD設備沉積摻硼金剛石薄膜的方法是，將預處理后的襯底放入熱絲CVD設備的反應室沉積金剛石薄膜，該熱絲CVD設備以鉭絲作為熱源，燈絲溫度為2100～2300℃，沉積工藝參數：反應氣源為氫氣和丙酮混合氣，混合氣中氫氣與丙酮的流量比為100∶25～35，固體三氧化二硼為硼源，反應室的真空度小于1Pa、襯底溫度為790～810℃。

5.根據權利要求2所述基于摻硼金剛石薄膜的抗壞血酸氧化酶傳感器電極的制備方法，其特征在于：所述利用光化學反應對摻硼金剛石薄膜進行氨基化修飾的方法是，將制備的摻硼金剛石薄膜放入質量百分比濃度為25％的氨水中，采用254nm紫外線照射8小時，制得氨基化的摻硼金剛石薄膜。

6.根據權利要求2所述基于摻硼金剛石薄膜的抗壞血酸氧化酶傳感器電極的制備方法，其特征在于：所述采用化學交聯法在氨基化修飾的摻硼金剛石薄膜表面固定抗壞血酸氧化酶的方法是，將500unit抗壞血酸氧化酶溶于100μL質量百分比濃度為1％的殼聚糖醋酸溶液中，然后滴加到氨基化修飾的摻硼金剛石薄膜表面，接著再滴加40μL質量百分比濃度為1％的戊二醛水溶液，干燥后放在4℃冰箱中保存。

7.一種如權利要求1所述基于摻硼金剛石薄膜的抗壞血酸氧化酶傳感器電極的應用，其特征在于：用于電化學生物傳感器的電極。