[發明專利]太陽能電池的制作方法及太陽能電池

無效

• 申請號: 201210011445.0
• 申請日: 2012-01-13
• 公開（公告）號: CN103208556A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發明（設計）人: 陳炯
• 申請（專利權）人: 上海凱世通半導體有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/0687
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 薛琦;朱水平

1.一種太陽能電池的制作方法，其特征在于，其包括以下步驟：

獲得一PN結構，其中，該PN結構的基底材料的背面中具有交替排列且均為長條狀的P+摻雜區域和N+摻雜區域，且該P+摻雜區域和該N+摻雜區域互不接觸，該PN結構的基底材料的表面中具有一表面N+摻雜層或一表面P+摻雜層；

獲得該PN結構之后，在該PN結構的基底材料的表面上形成一第一鈍化層以及在該第一鈍化層上形成一減反射層，在該PN結構的背面上形成一第二鈍化層；

在該第二鈍化層中與該P+摻雜區域對應的區域形成多個第一類接觸孔，以及在該第二鈍化層中與該N+摻雜區域對應的區域形成多個第二類接觸孔，其中該多個第一類接觸孔沿著該P+摻雜區域的長度方向排列，該多個第二類接觸孔沿著該N+摻雜區域的長度方向排列；

采用一金屬材料在該PN結構的基底材料的背面上形成一電極層，其中該多個第一類接觸孔和該多個第二類接觸孔中被該金屬材料填充；

將該電極層分割為第一類電極和第二類電極，其中該第一類電極通過該多個第一類接觸孔中的該金屬材料連接至該P+摻雜區域，該第二類電極通過該多個第二類接觸孔中的該金屬材料連接至該N+摻雜區域。

2.如權利要求1所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，其中通過將P型離子加速至500eV-50keV以形成方塊電阻為40-200Ω/□的P+摻雜區域，和/或，通過將N型離子加速至500eV-50keV以形成方塊電阻為20-200Ω/□的N+摻雜區域。

3.如權利要求1所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，通過熱擴散的方法形成該表面N+摻雜層或該表面P+摻雜層。

4.如權利要求1所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，

通過PECVD形成該第一鈍化層和該減反射層，該第一鈍化層為氧化硅、碳化硅、氧化鋁、氮化硅和非晶硅薄膜中的一種或多種的疊層，該減反射層為氮化硅薄膜，和/或，

通過PECVD形成該第二鈍化層，該第二鈍化層為氧化硅、碳化硅、氧化鋁、氮化硅和非晶硅薄膜中的一種或多種的疊層。

5.如權利要求1-4中任意-項所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，通過絲網印刷的方法形成該電極層。

6.如權利要求1-4中任意一項所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，通過激光切割的方法形成該多個第一類接觸孔和該多個第二類接觸孔。

7.如權利要求1-4中任意一項所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，通過激光切割的方法分割該電極層以形成該第一類電極和該第二類電極。

8.如權利要求1-4中任意一項所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，該金屬材料為銀鋁的混合物或銀鋁合金，其中，鋁的含量大于3％，所述百分比為鋁占該銀鋁的混合物或銀鋁合金總量的質量百分比。

9.一種太陽能電池，其特征在于，其包括：

一PN結構，其中，該PN結構的基底材料的背面中具有交替排列且均為長條狀的P+摻雜區域和N+摻雜區域，且該P+摻雜區域和該N+摻雜區域互不接觸，該PN結構的基底材料的表面中具有一表面N+摻雜層或一表面P+摻雜層；

形成于該PN結構的基底材料的表面上的一第一鈍化層以及形成于該第一鈍化層上一減反射層；

形成于該PN結構的基底材料的背面上的一第二鈍化層；

多個第一類接觸孔與多個第二類接觸孔，其中，該多個第一類接觸孔形成于該第二鈍化層中與該P+摻雜區域對應的區域，該多個第二類接觸孔形成于該第二鈍化層中與該N+摻雜區域對應的區域，其中該多個第一類接觸孔沿著該P+摻雜區域的長度方向排列，該多個第二類接觸孔沿著該N+摻雜區域的長度方向排列；

采用一金屬材料在該PN結構的背面上形成的一電極層，其中該多個第一類接觸孔和該多個第二類接觸孔中被該金屬材料填充；

由該電極層分割所形成的第一類電極和第二類電極，其中該第一類電極通過該多個第一類接觸孔中的該金屬材料連接至該P+摻雜區域，該第二類電極通過該多個第二類接觸孔中的該金屬材料連接至該N+摻雜區域。

10.如權利要求9所述的太陽能電池，其特征在于，該N+摻雜區域與該P+摻雜區域的最小距離至少為2μm。