[發明專利]半導體發光器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201210011019.7
• 申請日: 2012-01-16
• 公開（公告）號: CN102544321A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 林朝暉;王樹林
• 申請（專利權）人: 泉州市博泰半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/64
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體發光器件，其特征在于：所述器件為三明治式夾層結構，所述夾層結構的中間部位為發光體；

在所述發光體的一側依次包括位于所述發光體表面的透明導電導熱層，和位于所述透明導電導熱層表面的玻璃層；

在所述發光體的另一側依次包括位于所述發光體表面的透明導電導熱層，和位于所述透明導電導熱層表面的具有透光窗口的金屬層。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于：所述透明導電導熱層包括玻璃導電導熱膠、石墨導電膠、碳纖維導電導熱膠、或石墨烯。

3.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于：所述玻璃層為石英玻璃層。

4.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于：所述發光體為氮化鎵基發光二極管。

5.根據權利要求4所述的發光器件，其特征在于：所述發光體的數量為一個或，串聯或并聯在一起的復數個。

6.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于：所述透明導電導熱層包括至少一層。

7.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于：所述金屬層為銅層。

8.一種半導體發光器件的制造方法，包括：

提供第一襯底、在所述第一襯底表面形成發光體；

在所述發光體表面沉積透明導電導熱層、在所述透明導電導熱層表面鍵合第二襯底；或，在所述發光體表面直接鍵合具有透明導電導熱層的第二襯底；

剝離所述第一襯底；

芯片切割；

在所述發光體表面貼附其表面具有透明導電導熱層的玻璃層；

局部腐蝕所述第二襯底形成透光窗口。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于：所述第一襯底包括藍寶石襯底，所述發光體包括氮化鎵基發光二極管。

10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于：所述第二襯底包括銅。

11.根據權利要求8所述的方法，其特征在于：所述腐蝕第二襯底的方法包括濕法腐蝕。

12.根據權利要求8所述的方法，其特征在于：所述方法還包括焊接引出線的步驟。