[發明專利]微弧氧化涂層硅烷化處理液及封孔方法有效
| 申請號： | 201210010977.2 | 申請日： | 2012-01-14 |
| 公開（公告）號： | CN102703892A | 公開（公告）日： | 2012-10-03 |
| 發明（設計）人： | 王艷秋;房愛存;石世瑞;邵亞薇;張濤;孟國哲 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工程大學 |
| 主分類號： | C23C22/48 | 分類號： | C23C22/48;C25D11/02 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 150001 黑龍江省哈爾濱市南崗區*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化 涂層 硅烷 處理 方法 | ||
1.一種微弧氧化涂層硅烷化處理液，其特征是：是由去離子水、醇、硅烷偶聯劑，按照體積比為3-9∶1∶1的比例混合，調pH值而成的硅烷偶聯劑水解溶液。
2.根據權利要求1所述的微弧氧化涂層硅烷化處理液，其特征是：所述硅烷偶聯劑為氨基硅烷偶聯劑、環氧基硅烷偶聯劑、甲基丙烯含氧基硅烷偶聯劑、乙烯基硅烷偶聯劑或者巰基硅烷偶聯劑中的一種或幾種的混合物。
3.根據權利要求2所述的微弧氧化涂層硅烷化處理液，其特征是：所述醇是甲醇，所述硅烷偶聯劑為環氧基硅烷偶聯劑。
4.根據權利要求2所述的微弧氧化涂層硅烷化處理液，其特征是：所述醇是乙醇，所述硅烷偶聯劑為氨基硅烷偶聯劑。
5.根據權利要求3所述的微弧氧化涂層硅烷化處理液，其特征是：所述環氧基硅烷偶聯劑為γ-(2，3-環氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷。
6.根據權利要求4所述的微弧氧化涂層硅烷化處理液，其特征是：所述氨基硅烷偶聯劑為γ-氨丙基三乙氧基硅烷。
7.一種微弧氧化涂層硅烷化處理液的封孔方法，其特征是：
(1)按照體積比為3-6∶1∶1的比例將去離子水、醇、硅烷偶聯劑混合，調pH值，制成微弧氧化涂層硅烷化處理液；
(2)對微弧氧化涂層硅烷化處理液進行12h以上的水解處理得到硅烷偶聯劑水解溶液；
(3)將微弧氧化涂層在上硅烷偶聯劑水解溶液中浸漬10s-20min，取出風干得到吸附水解溶液的涂層；
(4)將吸附水解溶液的涂層在50-300℃溫度下加熱固化15-300min。
8.根據權利要求7所述的微弧氧化涂層硅烷化處理液的封孔方法，其特征是：所述醇是乙醇，所述硅烷偶聯劑為氨基硅烷偶聯劑。
9.根據權利要求7所述的微弧氧化涂層硅烷化處理液的封孔方法，其特征是：所述醇是乙醇，所述硅烷偶聯劑為氨基硅烷偶聯劑。
10.根據權利要求7、8或9所述的微弧氧化涂層硅烷化處理液的封孔方法，其特征是：所述調pH值為用乙酸調整pH值至5。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C22-00 表面與反應液反應、覆層中留存表面材料反應產物的金屬材料表面化學處理，例如轉化層、金屬的鈍化
C23C22-02 .使用非水溶液的
C23C22-05 .使用水溶液的
C23C22-70 .使用熔體
C23C22-73 .以工藝為特征的
C23C22-78 .待鍍覆材料的預處理
