[發(fā)明專利]電鑄掩模板定位點(diǎn)的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210010776.2
• 申請(qǐng)日: 2012-01-16
• 公開（公告）號(hào): CN103203975A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏志凌;高小平;趙錄軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆山允升吉光電科技有限公司
• 主分類號(hào): B41C1/14
• 分類號(hào): B41C1/14
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種電鑄掩模板定位點(diǎn)的制作方法，包括電鑄工藝階段和蝕刻工藝階段，其特征在于，所述電鑄工藝階段包括：芯模前處理、貼膜、曝光、顯影和電鑄；所述蝕刻工藝階段包括：貼膜、曝光、蝕刻、脫膜、水洗、烘干、涂黑膠、剝離。

2.???根據(jù)權(quán)利要求1所述的電鑄掩模板定位點(diǎn)的制作方法，其特征在于，所述膜前處理包括對(duì)芯模的貼膜面進(jìn)行噴砂處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電鑄掩模板定位點(diǎn)的制作方法，其特征在于，所述電鑄工藝階段的曝光在曝光機(jī)中進(jìn)行，按原始文件曝黑開口圖形區(qū)域，并在圖形區(qū)域的四角處曝黑對(duì)角位置的至少2個(gè)對(duì)位點(diǎn)；所述顯影包括顯影曝光好的芯模并清除未曝光干膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電鑄掩模板定位點(diǎn)的制作方法，其特征在于，所述電鑄的參數(shù)如下：

氯化鎳????????????????10-20?g/L；???????

硼酸??????????????????40?g/L；

鎳添加劑??????????????8-10ml/L；

光亮劑???????????????1ml/L；

鎳濕潤(rùn)劑??????????????1-2?ml/L；

溫度T?????????????????50℃；

電流??????????????????2?A；????????

時(shí)間???????????????????????240min；

pH????????????????????4.2；

得到電鑄層的厚度為0.04-0.12mm。

5.????根據(jù)權(quán)利要求4所述的電鑄掩模板定位點(diǎn)的制作方法，其特征在于，所述貼膜包括對(duì)電鑄后的芯模烘干后，直接在正反面貼膜。

6.?????根據(jù)權(quán)利要求5所述的電鑄掩模板定位點(diǎn)的制作方法，其特征在于，所述蝕刻工藝階段的曝光在曝光機(jī)中進(jìn)行，通過CCD定位電鑄前曝黑的對(duì)位點(diǎn)，在鑄層干膜面曝黑兩個(gè)對(duì)角位置上的定位點(diǎn)及深度標(biāo)識(shí)塊外的全部區(qū)域；所述深度標(biāo)識(shí)塊在電鑄層的邊緣。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電鑄掩模板定位點(diǎn)的制作方法，其特征在于，在所述蝕刻包括通過千分尺控制定位點(diǎn)和深度識(shí)別塊的蝕刻深度在0.03-0.07mm；蝕刻參數(shù)為蝕刻壓力45±1psi，蝕刻速度35-15HZ，氯化鐵蝕刻液比重1.38-1.46，所述定位點(diǎn)的深度小于電鑄層的厚度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電鑄掩模板定位點(diǎn)的制作方法，其特征在于，所述脫膜、水洗和烘干包括完成蝕刻工藝后，進(jìn)行脫膜處理，清除鑄層表面的干膜，水洗烘干。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電鑄掩模板定位點(diǎn)的制作方法，其特征在于，所述涂黑膠和剝離包括用黑膠對(duì)半蝕刻的定位點(diǎn)盲孔進(jìn)行封堵，最后將加工完成的電鑄掩膜板與芯膜剝離。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電鑄掩模板定位點(diǎn)的制作方法，其特征在于，所述黑膠高度不超過鑄層表面；所述黑膠為高分子材料，主要成分為環(huán)氧樹脂，并含有適量的硅微粉作為填充劑。